"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектроскопия германия, легированного Ga, при одноосном сжатии
Покровский Я.Е.1, Хвальковский Н.А.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Для идентификации оптических переходов, за счет которых в одноосно-сжатом германии, легированном галлием, возможно возбуждение длинноволнового стимулированного излучения, исследованы спектры поглощения и фотопроводимости этого материала в широком интервале давлений в направлениях [111] и [001]. Установлена зависимость величины расщепления ветвей легких и тяжелых дырок в германии от приложенного давления. Определенные из этой зависимости константы деформационного потенциала для валентной зоны оказались меньше принятых ранее значений. Установлено, что некоторые уровни возбужденных состояний примеси галлия при возрастании давления достигают зоны легких дырок, затем входят в зону и остаются вблизи ее края (резонансные состояния). Возможно, что инверсное заселение этих резонансных состояний приводит к возбуждению стимулированного излучения с энергией фотонов около 10 мэВ. Особенностей в спектрах у края зоны тяжелых дырок, подтверждающих существование резонансных состояний примеси в этой области энергий, не обнаружено.
  1. И.В. Алтухов, М.С. Каган, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 47, 136 (1988)
  2. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А.. Королев и др. ЖЭТФ, 101, 756 (1992)
  3. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А.. Королев и др. Письма ЖЭТФ, 59, 455 (1994)
  4. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев и др. ФТП, 30, 1091 (1996)
  5. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев и др. ЖЭТФ, 115, 89 (1999)
  6. М.А. Одноблюдов, А.А. Пахомов, В.М. Чистяков и др. ФТП, 31, 1180 (1997)
  7. М.А. Одноблюдов, А.А. Прокофьев, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 121 692 (2002)
  8. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, Д.В. Козлов. ЖЭТФ, 120, 1495 (2001)
  9. A.K. Ramdas, S. Rodrigues. Rep. Progr. Phys., 44, 1287 (1981)
  10. G.B. Wright, A. Mooradian. Phys. Rev. Lett., 18, 608 (1967)
  11. O.L. Lipari, A. Baldareschi. Sol. St. Commun., 25, 665 (1978)
  12. R.L. Jones, P. Fiser. Phys. Rev. B, 2, 2016 (1970)
  13. A.G. Kazanskii, P.L. Richards, E.E. Haller. Appl. Phys. Lett., 21, 496 (1977)
  14. V.Y. Aleshkin, A.V. Gavrilenko, V.I. Gavrilenko et al. Phys. Status Solidi (c), 0, 680 (2003)
  15. Ш.М. Каган, А.Ф. Полупанов. ЖЭТФ, 80, 394 (1981)
  16. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  17. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975) с. 8, 129
  18. А.Ф. Полупанов, Р. Таксинбаев. ФТП, 18, 279 (1984)
  19. Yu.P. Gousev, I.V. Altukhov, E.G. Chirkova et al. Appl. Phys. Lett., 75, 757 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.