"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние параметров сапфировых подложек на кристаллическое качество слоев GaN
Дроздов Ю.Н.1, Востоков Н.В.1, Гапонова Д.М.1, Данильцев В.М.1, Дроздов М.Н.1, Хрыкин О.И.1, Филимонов А.С.2, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Завод синтетических корундов "Монокристалл", Ставрополь, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследовано влияние некоторых видов обработки сапфировой подложки на свойства слоев нитрида галлия, полученных методом металлорганической газофазной эпитаксии.
  1. T. Someya, K. Hoshino, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 79, 1992 (2001)
  2. Ю.Г. Носов, Л.И. Деркаченко. ЖТФ, 73 (10), 139 (2003)
  3. R. Dimitrov, M. Murphy, J. Smart, W. Schaff, J.R. Shealy, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 87, 3375 (2000)
  4. D.H. Lim, K. Xu, S. Arima, A. Yoshikawa, K. Takahashi. J. Appl. Phys., 91, 6461 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.