Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Многофотонный эффект Франца--Келдыша в ленте графена кресельного типа
1Санкт-Петербургский государственный морской технический университет, Санкт-Петербург, Россия 
2Zentrum fur Optishe Quantentechnologien, The Hamburg Centre for Ultrafast Imaging, Hamburg, Germany
2Zentrum fur Optishe Quantentechnologien, The Hamburg Centre for Ultrafast Imaging, Hamburg, Germany
Email: fedorova.tan@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 21 июня 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 8 декабря 2023 г.
Аналитически рассматривается состояние электрона в ленте графена кресельного типа в электрическом поле, образованном суперпозицией периодического во времени сильного поля световой волны и слабого по сравнению с ним постоянного электрического поля. Поля поляризованы параллельно оси ленты. В модели Дирака исследуются электронные переходы между состояниями электронной и дырочной подзон размерного квантования. Показано, что вероятность межподзонного многофотонного перехода, вычисленная в резонансном приближении, осциллирует со временем с частотой Раби, зависящей от параметров ленты и сильного периодического поля. Амплитуда осцилляций существенно модулируется слабой постоянной составляющей как ниже, так и выше частотного порога перехода (эффект Франца-Келдыша). Ключевые слова: графен, лента, эффект Франца-Келдыша.
- H. Taya. Phys. Rev. D, 99, 056006 (2019). https://doi.org/10.1103/PhysRevD.99.056006
- Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 34, 1138 (1958)
- R.E. Putnam, jr., M.E. Raikh. Solid State Commun., 353, 114861 (2022)
- Y. Zhou, M.W. Wu. Phys. Rev. B, 83, 245436 (2011)
- B.S. Monozon, P.S. Schmelcher. Rev. B, 105, 115435 (2022). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.11543
- A. Betti, G. Fiori, G. Iannaccone. 2010 Int. Electron Devices Meeting (San Francisco, CA, USA, 2010) p. 32.2.1 DOI: 10.1109/IEDM.2010.5703462
- Z.H. Ni, L.A. Ponomarenko, R.R. Nair, R. Yang, S. Anissimova, I.V. Grigorieva, F. Schedin, P. Blake, Z.X. Shen, E.H. Hill, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Nano Lett., 10, 3868 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
