Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследования структурных и механических свойств тонких пленок AlGaN на гибридных подложках нано-SiC/Si
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , State assignment FSUE Institute for Problems of Mechanical Engineering RAS, FFNF-2021-0001
Гращенко А.С.
1, Кукушкин С.А.
1, Шарофидинов Ш.Ш.
1,2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: asgrashchenko@bk.ru, sergey.a.kukushkin@gmail.com, shukrillo71@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 3 августа 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 8 декабря 2023 г.
Выполнено экспериментальное исследование структурных характеристик поверхности и параметров твердости и модуля упругости тонких пленок AlGaN, выращенных на гибридных подложках нано-SiC/Si. С помощью методов атомно-силовой микроскопии и наноиндентирования исследованы слои AlGaN на нано-SiC на Si с ориентациями (001), (011) и (111). Показано, что ориентация подложки Si оказывает существенное влияние на структуру поверхности пленок AlGaN и параметр модуля упругости AlGaN вблизи поверхности. Определена шероховатость и структурные характеристики поверхности слоев AlGaN, выращенных на гибридных подложках на нано-SiC на Si. Измерены параметры модуля упругости пленок AlGaN вблизи поверхности и в объеме пленки. Экспериментально определены параметры твердости тонких пленок AlGaN на нано-SiC на Si. Ключевые слова: тонкие пленки, АСМ, наноиндетирование, гетероструктуры, нано-SiC/Si, AlGaN.
- Q. Zhang, X. Yin, E. Martel, S. Zhao. Mater. Sci. Semicond. Process., 135, 106099 (2021). DOI: 10.1016/j.mssp.2021.106099
- P. Arifin, H. Sutanto, A. Subagio. Coatings, 12, 94 (2022). DOI: 10.3390/coatings12010094
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
- A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Techn. Phys. Lett., 46, 1012 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020100235
- S.S. Sharofidinov, S.A. Kukushkin, A.V. Red'kov, A.S. Grashchenko, A.V. Osipov. Techn. Phys. Lett., 45, 711 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019070277
- S.A. Kukushkin, S.S. Sharofidinov. Phys. Solid State, 61, 2342 (2019). DOI: 10.1134/S1063783419120254
- A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Phys. Solid State, 61, 2310 (2019). DOI: 10.1134/S106378341912014X
- W.C. Oliver, G.M. Pharr. J. Mater. Res., 7, 1564 (1992). DOI: 10.1557/JMR.1992.1564
- S.A. Kukushkin, S.S. Sharofidinov, A.V. Osipov, A.S. Grashchenko, A.V. Kandakov, E.V. Osipova, K.P. Kotlyar, E.V. Ubyivovk. Phys. Solid State, 63, 442 (2021). DOI: 10.1134/S1063783421030100
- T.A. Rawdanowicz, J. Sankar, J. Narayan, V. Godbole. MRS Online Proceedings Library (OPL), 594, 507 (1999). DOI: 10.1557/PROC-594-507
- R. Nowak, M. Pessa, M. Suganuma, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, F. Yoshida. Appl. Phys. Lett., 75, 2070 (1999). DOI: 10.1063/1.124919
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
