"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция электронно-дырочной плазмы в полуизолирующем нелегированном GaAs
Коваленко В.Ф.1, Шутов С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Херсонский отдел, Херсон, Украина
Поступила в редакцию: 14 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Исследована зависимость фотолюминесценции электронно-дырочной плазмы в полуизолирующем нелегированном GaAs от концентрации фоновой примеси углерода NC (3·1015=< NC=< 4·1016 см-3) при 77 K. Установлено, что плотность электронно-дырочной плазмы, составляющая ne-h~1.1·1016 см-3 при интенсивности возбуждения 6·1022 квант/см2·с в кристаллах с минимальной концентрацией примеси, существенно уменьшается при увеличении NC в исследованном интервале. Снижение плотности электронно-дырочной плазмы с ростом NC связывается с влиянием флуктуаций концентрации NC, обусловливающих неоднородное распределение взаимодействующих носителей заряда и локализацию дырок в "хвостах" плотности состояний валентной зоны.
  1. В.Б. Стопачинский. ЖЭТФ, 72 (2), 592 (1977)
  2. В.С. Багаев, Л.И. Падучих, Г.С. Сахоненко. В кн.: Экситоны в полупроводниках (М., Наука, 1971) с. 54
  3. В.Г. Лысенко, В.И. Ревенко, Т.Г. Тратас, В.Б. Тимофеев. ЖЭТФ, 68 (1), 335 (1975)
  4. T. Moriya, T. Kushida. J. Phys. Soc. Japan, 43 (5), 1646 (1977)
  5. М.Н. Винославский, А.В. Кравченко. ФТП, 35 (4), 390 (2001)
  6. В.А. Ващенко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов, В.Ф. Синкевич. ФТП, 23 (8), 1378 (1989)
  7. В.Ф. Коваленко, М.Б. Литвинова, С.В. Шутов. ФТП, 36 (2), 174 (2002)
  8. D.L. Smith. Sol. St. Commun., 18, 637 (1976)
  9. Н.М. Литовченко, Л.Г. Шепель. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 29, 108 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.