Фотолюминесценция электронно-дырочной плазмы в полуизолирующем нелегированном GaAs
Коваленко В.Ф.1, Шутов С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Херсонский отдел, Херсон, Украина
Поступила в редакцию: 14 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.
Исследована зависимость фотолюминесценции электронно-дырочной плазмы в полуизолирующем нелегированном GaAs от концентрации фоновой примеси углерода NC (3·1015=< NC=< 4·1016 см-3) при 77 K. Установлено, что плотность электронно-дырочной плазмы, составляющая ne-h~1.1·1016 см-3 при интенсивности возбуждения 6·1022 квант/см2·с в кристаллах с минимальной концентрацией примеси, существенно уменьшается при увеличении NC в исследованном интервале. Снижение плотности электронно-дырочной плазмы с ростом NC связывается с влиянием флуктуаций концентрации NC, обусловливающих неоднородное распределение взаимодействующих носителей заряда и локализацию дырок в "хвостах" плотности состояний валентной зоны.
- В.Б. Стопачинский. ЖЭТФ, 72 (2), 592 (1977)
- В.С. Багаев, Л.И. Падучих, Г.С. Сахоненко. В кн.: Экситоны в полупроводниках (М., Наука, 1971) с. 54
- В.Г. Лысенко, В.И. Ревенко, Т.Г. Тратас, В.Б. Тимофеев. ЖЭТФ, 68 (1), 335 (1975)
- T. Moriya, T. Kushida. J. Phys. Soc. Japan, 43 (5), 1646 (1977)
- М.Н. Винославский, А.В. Кравченко. ФТП, 35 (4), 390 (2001)
- В.А. Ващенко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов, В.Ф. Синкевич. ФТП, 23 (8), 1378 (1989)
- В.Ф. Коваленко, М.Б. Литвинова, С.В. Шутов. ФТП, 36 (2), 174 (2002)
- D.L. Smith. Sol. St. Commun., 18, 637 (1976)
- Н.М. Литовченко, Л.Г. Шепель. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 29, 108 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук