"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Индуцированное и спонтанное излучение структур CdxHg1-xTe в диапазоне 3.2-3.7 мкм при 77 K
Ноздрин Ю.Н.1, Окомельков А.В.1, Котков А.П.2, Моисеев А.Н.2, Гришнова Н.Д.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Приводятся результаты наблюдения индуцированного излучения образцов CdxHg1-xTe при оптической накачке с помощью импульсного Nd : YAG-лазера при температуре T~77 K. В диапазоне длин волн lambda~3300-3600 нм наблюдалось как стимулированное, так и спонтанное излучение. Приводятся экспериментальные спектры излучения. Обсуждаются свойства спектров изучаемых образцов, а также возможные применения.
  1. А.Н. Моисеев, А.П. Котков, В.В. Дорофеев, Н.Д. Гришнова. Неорг. матер., 40 (1), 1 (2004)
  2. К.О. Болтарь, Н.И. Яковлева, В.П. Головин, В.П. Пономаренко, В.И. Стафеев, И.Д. Бурлаков, А.Н. Моисеев, А.П. Котков, В.В. Дорофеев. Прикл. физика, N 5, 95 (2003)
  3. I. Melngailis, A.J. Strauss. Appl. Phys. Lett., 8 (7) 179 (1966)
  4. R. Dornhaus, G. Nimtz. In: Springer Tracts in Modern Physics (1978) v. 78, p. 1
  5. Н.С. Барышев. Свойства и применение узкозонных полупроводников (Казань, УНИПРЕСС, 2000)
  6. T.C. Hartman. J. Electron. Mater., 8 (2), 191 (1979)
  7. В.И. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, Р.Б. Рустамов, В.А. Смирнов. Письма ЖТФ, 10 (16), 1021 (1984)
  8. K.K. Mahavadi, J. Bleuse, X. Chu, J.P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 55 (13), 1285 (1989)
  9. G. Nimtz. Phys. Rep., 63 (5), 265 (1980)
  10. Г.М. Генкин, А.В. Окомельков, И.Д. Токман. ФТП, 22 (12), 2151 (1988)
  11. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002) с. 312

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.