Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Индуцированное и спонтанное излучение структур Cd_xHg_1-xTe в диапазоне 3.2-3.7 мкм при 77 K

Ноздрин Ю.Н.¹, Окомельков А.В.¹, Котков А.П.², Моисеев А.Н.², Гришнова Н.Д.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия Devyatykh Institute of Chemistry of High-Purity Substances, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Devyatykh Institute of Chemistry of High-Purity Substances, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 5 мая 2004 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводятся результаты наблюдения индуцированного излучения образцов Cd_xHg_1-xTe при оптической накачке с помощью импульсного Nd : YAG-лазера при температуре T~77 K. В диапазоне длин волн lambda~3300-3600 нм наблюдалось как стимулированное, так и спонтанное излучение. Приводятся экспериментальные спектры излучения. Обсуждаются свойства спектров изучаемых образцов, а также возможные применения.

А.Н. Моисеев, А.П. Котков, В.В. Дорофеев, Н.Д. Гришнова. Неорг. матер., 40 (1), 1 (2004)
К.О. Болтарь, Н.И. Яковлева, В.П. Головин, В.П. Пономаренко, В.И. Стафеев, И.Д. Бурлаков, А.Н. Моисеев, А.П. Котков, В.В. Дорофеев. Прикл. физика, N 5, 95 (2003)
I. Melngailis, A.J. Strauss. Appl. Phys. Lett., 8 (7) 179 (1966)
R. Dornhaus, G. Nimtz. In: Springer Tracts in Modern Physics (1978) v. 78, p. 1
Н.С. Барышев. Свойства и применение узкозонных полупроводников (Казань, УНИПРЕСС, 2000)
T.C. Hartman. J. Electron. Mater., 8 (2), 191 (1979)
В.И. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, Р.Б. Рустамов, В.А. Смирнов. Письма ЖТФ, 10 (16), 1021 (1984)
K.K. Mahavadi, J. Bleuse, X. Chu, J.P. Faurie. Appl. Phys. Lett., 55 (13), 1285 (1989)
G. Nimtz. Phys. Rep., 63 (5), 265 (1980)
Г.М. Генкин, А.В. Окомельков, И.Д. Токман. ФТП, 22 (12), 2151 (1988)
П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002) с. 312

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель