Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Hg_1-x-y-zCd_xMn_yZn_z-0.5ptTe: новая альтернатива Hg_1-xCd_xTe

Горбатюк И.Н.¹, Марков А.В.¹, Остапов С.Э.¹, Раренко И.М.¹

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 15 декабря 2003 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены исследования основных зонных параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe - основным материалом для инфракрасной фотоэлектроники в диапазонах 3-5 и 8-14 мкм.

J. Piotrowski, A. Rogalski. Sensors Actuators, A67, 146 (1998)
M.A. Kinch. J. Electron. Mater., 29, 809 (2000)
A. Rogalski. Infr. Phys. Technol., 43, 187 (2002)
A. Rogalski. Infr. Phys., 31, 117 (1991)
A. Rogalski. Progr. Quant. Electron., 13, 299 (1989)
Н.Г. Глузман, Н.К. Леринман, Л.Д. Сабирзянова и др. ФТП, 23 (6), 1032 (1989)
Н.Д. Раранский, И.М. Раренко, В.П. Шафранюк и др. Тез. докл. III Совещ. по межвузовской комплексной программе "Рентген" (Черновцы, Россия, 1989) с. 174
A. Wall, C. Captile, A. Franciosi. J. Vac. Sci. Technol., A4, 818 (1986)
R. Grangler, A. Lasbley, S. Rolland, C.M. Petlefier, R. Triboulet. J. Cryst. Growth, 88, 682 (1988)
I.Rarenko, E. Rybak, Y. Stetsko, Z. Zakharuk. EMRS Spring Meeting (Strasbourg, Germany, 1995) Abstracts D-III, p. 409
P.M. Bridenbaugh. Mater. Lett., 3 (7,8), 287 (1985)
О.А. Бондарук, А.В. Марков, С.Э. Остапов и др. ФТП, 34 (4), 430 (2000)
J.J. Schmit. J. Appl. Phys., 41 (7), 2876 (1970)
J.R. Lowney, D.G. Seiler, C.L. Littler, I.T. Yoon. J. Appl. Phys., 71 (3), 1253 (1992)
И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)
И.М. Несмелова. ФТП, 37 (11), 1296 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель