Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Создание и фоточувствительность гетеропереходов на кристаллах CuIn3Se5
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет Стратклайда, G40NG Глазго, Великобритания
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет Стратклайда, G40NG Глазго, Великобритания
Поступила в редакцию: 22 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
Гетеропереходы на кристаллах p-CuIn3Se5 изготовлены методами магнетронного распыления мишени n-ZnO : Al и посадки естественно-сколотых тонких пластин n-GaSe на полированную поверхность пластин p-CuIn3Se5. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Обнаружен и обсуждается фотовольтаический эффект в созданных структурах. Показано, что полученные фоточувствительные гетеропереходы являются перспективными для создания селективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.
- H.W. Schock. A. Shah. Proc. 14th EU PVSEC, 2000 (1997)
- O. Lundberg, M. Edoff, L. Stolt. ISES 2003. Abstract book, Solar World Congress. June 14--19, 2003 (Goteborg, Sweden, 2003) p. 57
- T.M. Razykov. Abstract book. Solar World Congress. June 14--19, 2003 (Coteborg, Sweden, 2003) p. 61
- S.D. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayma-Yoshida. Phys. Rev. B, 57, 9642 (1998)
- S.H. Wei, S.D. Tsang, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 3199 (1998)
- И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 805 (1999)
- И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ЖПС, 69, 519 (2002)
- G. Marin, R. Marques, R. Guevara. Jap. J. Appl. Phys., 39, pt 1, 44 (2000)
- И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ФТП, 36, 1211 (2002)
- E. Hernandez. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
- Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные точки в твердых телах (М., Мир, 1973)
- С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 37, 1329 (2003)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- Физико-химические свойства полупроводников. Справочник (М., Наука, 1979)
- I.V. Bodnar, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Cryst. Res. Technol., 31 S, 261 (1996)
- Н.М. Мехтиев, Ю.В. Рудь, Э.Ю. Салаев. ФТП, 12, 1566 (1978)
- Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996)
- Ю.В. Рудь. Изв. вузов СССР. Физика, 29, 68 (1986)
- G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. ( a), 67, 333 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
