"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Равновесные характеристики и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe : Pb
Савицкий А.В.1, Парфенюк О.А.1, Илащук М.И.1, Савчук А.Й.1, Чупыра С.Н.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 5 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Методом Бриджмена выращены монокристаллы CdTe : Pb с разными концентрациями примеси в растворе: C0Pb=5· 1018, 1019, 5· 1019 см-3. Равновесные характеристики материала определяются глубокими акцепторами с энергией Ev+(0.39±0.02) эВ. Концентрация дырок уменьшается при увеличении количества примеси во всем интервале изменения C0Pb. На спектрах низкотемпературной фотолюминесценции выделяется полоса, обусловленная переходами в донорно-акцепторных парах, а также краевая полоса излучения. При увеличении C0Pb наблюдается резкое увеличение интенсивности полосы, связанной с переходами из зоны проводимости на акцептор, в краевой области, причем максимум бесфононной линии этого излучения сдвигается в коротковолновую сторону. Анализируется возможная природа переходов и динамика изменения спектров фотолюминесценции в зависимости от уровня легирования.
  1. А.В. Савицкий, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, П.А. Павлин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 25 (11), 1848 (1989)
  2. В.В. Матлак, М.И. Илащук, О.А. Парфенюк, П.А. Павлин, А.В. Савицкий. ФТП, 11 (12), 2287 (1977)
  3. О.А. Парфенюк, А.В. Савицкий, П.А. Павлин, А.Л. Альбота. Изв. вузов СССР. Физика, 4, 66(1986)
  4. O. Panchuk, O. Savitsky, P. Fochuk, Ye. Nykonyuk, O. Parfenyuk, L. Scherbak, M. Ilaschuk, L. Yatsunyk, P. Feychuk. J. Cryst. Growth, 197, 607 (1999)
  5. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966). [Пер. с англ.: A. Rose. Concepts in Photoconductivity and Allied Problems (N.Y.--London, 1963)]
  6. K. Shcherbin, S. Odulov, F. Ramaz, B. Farid, B. Briat, H.J. Bardeleben, I. Rarenko, Z. Zakharuk, O. Panchuk, P. Fochuk. Optics and Optoelectronics, v. 2. Theory Devices and Applications (Publishing House Narosa, Dehradun, India, 1998)
  7. A.V. Savitsky, O.A. Parfenyuk, M.I. Ilashchuk, P.M. Fochuk, N.D. Korbutyak. Semicond. Sci. Technol., 15, 263 (2000)
  8. Ж.Р. Паносян. Тр. ФИАН, 68, 147 (1973)
  9. D.M. Eagles. J. Phys. Chem. Sol., 16, 75 (1960)
  10. G. Fonthal, L. Tirado-Mejia, J.I. Marin-Hurtado, H. Ariaza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. J. Phys. Chem. Sol., 61 (4), 579 (2000)
  11. Л.П. Щербак, Е.С. Никонюк, О.Э. Панчук, А.В. Савицкий, П.И. Фейчук, В.В. Матлак. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 13, 415 (1977)
  12. P. Feichuk, L. Shcherbak, D. Pluta, P. Moravec, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl. Proc. SPIE, 3182, 100 (1997)
  13. Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969). [Пер. с англ.: F.A. Kroger. The Chemistry of Imperfect Crystals (Amsterdam, 1964)]
  14. K.R. Zanio. Semiconductors and Semimetals. Cadmium Telluride (N.Y.--San Francisco--London, Academic Press, 1978) v. 13, p. 235
  15. M. Somimi, B. Biglari, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert. Phys. St. Sol. (a), 100, 251 (1987)
  16. P. Rudolph, M. Muhlberg, M. Neubert, T. Boeck, P. Mock, L. Parthier, K. Jacobs. J. Cryst. Growth, 118, 204 (1992)
  17. Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 5, 869 (1971)
  18. M.R. Loreuz, B. Segall. Phys. Lett., 7, 18 (1963)
  19. Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 5, 863 (1971)
  20. P. Gorley, J. Vorobiev, V. Makhniy, O. Parfenyuk, M. Ilashchuk, J. Gonzalez-Hernandez, P. Horley. Mater. Sci. Eng., in press (2003)
  21. Е.С. Никонюк, О.А. Парфенюк, В.В. Матлак, К.Д. Товстюк, А.В. Савицкий. ФТП, 9 (7), 1271 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.