Рассмотрена роль кислорода в механизме диссоциации комплекса диуглерода в n-Si на составляющие его компоненты. Предположено, что высвободившиеся межузельные атомы углерода C_i, мигрируя по кристаллу, вступают в реакции с углеродом в узлах решетки кремния C_s и межузельным кислородом O_i с образованием комплексов C_iC_s и C_iO_i соответственно. Решения системы уравнений, описывающей образование межузельных атомов углерода в процессе отжига диуглерода, показали, что эффективная константа скорости реакции отжига комплекса C_iC_s (G-центра) зависит от концентрации кислорода. Эта зависимость трактуется как зависимость энергии активации процесса отжига комплекса C_iC_s и, следовательно, энергии его диссоциации от концентрации кислорода. Получено более точное значение энергии диссоциации G-центра, равное 1.08±0.03 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.