"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле
Бояркина Н.И.1, Смагулова С.А.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Якутский государственный университет, Якутск, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Рассмотрена роль кислорода в механизме диссоциации комплекса диуглерода в n-Si на составляющие его компоненты. Предположено, что высвободившиеся межузельные атомы углерода Ci, мигрируя по кристаллу, вступают в реакции с углеродом в узлах решетки кремния Cs и межузельным кислородом Oi с образованием комплексов CiCs и CiOi соответственно. Решения системы уравнений, описывающей образование межузельных атомов углерода в процессе отжига диуглерода, показали, что эффективная константа скорости реакции отжига комплекса CiCs (G-центра) зависит от концентрации кислорода. Эта зависимость трактуется как зависимость энергии активации процесса отжига комплекса CiCs и, следовательно, энергии его диссоциации от концентрации кислорода. Получено более точное значение энергии диссоциации G-центра, равное 1.08±0.03 эВ.
  1. L.I. Murin. Phys. St. Sol. (a), 93, K 147 (1986)
  2. G. Davies, T.K. Kwok, T. Reade. Phys. Rev. B, 44, 12 146 (1991)
  3. Н.И. Бояркина, С.А. Смагулова, А.А. Артемьев. ФТП, 36, 907 (2002)
  4. И.Ф. Медведева, Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, N 3, 19 (1991)
  5. T.K. Kwok. Phys. Rev. B, 51, 17 188 (1995)
  6. В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 22, 911 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.