"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Управление энергетическим спектром квантовых точек InAs/GaAs изменением толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InGaAs
Карпович И.А.1, Звонков Б.Н.1, Левичев С.Б.1, Байдусь Н.В.1, Тихов С.В.1, Филатов Д.О.1, Горшков А.П.1, Ермаков С.Ю.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Показано, что в гетероструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией из металлорганических соединений при атмосферном давлении, можно управлять энергией основного перехода в квантовых точках в области, перекрывающей оба окна прозрачности оптического волокна на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм, путем изменения толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InxGa1-xAs. В этих структурах имеет место также красное смещение энергии основного перехода в квантовой яме InxGa1-xAs в результате образования гибридной квантовой ямы InxGa1-xAs/InAs (смачивающий слой) между квантовыми точками. В диодах Шоттки на таких структурах обнаружено увеличение обратного тока, связанное с термоактивированным туннелированием электронов из металла на уровни квантовых точек.
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  2. M. Grundmann. Physika, E 5, 167 (2000)
  3. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, J.-S. Lee. Appl. Phys. Lett., 74, 1111 (1999)
  4. Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33, 990 (1999)
  5. А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, Н.А. Малеев, С.С. Михрин, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, М.В. Максимов, Б.В. Воловик, Д.А. Бедарев, Ю.М. Шерняков, Е.Ю. Кондратьева, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 33, 1020 (1999)
  6. V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, A.V. Lunev, B.V. Volovik, I.L. Krestnikov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74, 2815 (1999)
  7. J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 78, 3469 (2001)
  8. И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин. Поверхность, N 11, 27 (2000)
  9. B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, Yu.Yu. Gushina, S.V. Morozov, S.B. Levichev. Proc. 25th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, ed. by N. Miura, T. Ando (Osaka, Japan, 2000) p. 397
  10. Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35, 92 (2001)
  11. И.А. Карпович, А.П. Горшков, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Д.О. Филатов. ФТП, 35, 564 (2001)
  12. I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, S.V. Morozov, D.O. Filatov, A.V. Zdoroveishev. Nanotechnology, 12, 425 (2001)
  13. Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, Ю.Ю. Гущина, И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев. Поверхность, N 7, 71 (2000)
  14. G. Ji, D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Markos. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987)
  15. И.А. Карпович, М.В. Степихова. ФТП, 32, 182 (1998)
  16. Н.А. Торхов. ФТП, 35, 823 (2001)
  17. Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, П.Б. Мокеева, Е.А. Ускова, С.В. Тихов, M.I. Vasilevsky. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, ИФМ РАН, 2003) т. 2, с. 351

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.