"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция туннельно-связанных квантовых ям
Хабаров Ю.В.1, Капаев В.В.2, Петров В.А.3
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.

Предложенный ранее спектрально-корреляционный метод исследования наноструктур применен для изучения фотолюминесценции туннельно-связанных и изолированных квантовых ям в структурах с планарно-неоднородными слоями. Этот метод позволил исследовать на одном образце зависимости интенсивностей линий фотолюминесценции и их энергетических положений от ширины туннельного барьера для системы туннельно-связанных ям GaAs--InGaAs--GaAs и от ширины квантовых ям для системы изолированных квантовых ям AlGaAs--GaAs--AlGaAs. Полученные экспериментальные данные удается согласовать с теоретическими расчетами, предположив в структуре с туннельно-связанными квантовыми ямами наличие постоянного поперечного электрического поля, влияющего на процессы захвата носителей в квантовые ямы. Для изолированных квантовых ям зависимость параметров фотолюминесценции от ширины ям демонстрирует чувствительность к рельефу гетерограниц и к процессам захвата носителей в квантовые ямы.
  1. Ю.В. Хабаров. Патент РФ N 2168238 (2001)
  2. Ю.В. Хабаров. ФТП, 37, 339 (2003)
  3. M.A. Herman, D. Bimberg, J. Christen. J. Appl. Phys., 70, R1 (1991)
  4. G. Bastard, C. Delalande, Y. Guldner, P. Voison. Advances in Electronics and Electron Physics, ed. by Peter W. Hawkes (Boston--San Siego--N.Y.--Berkeley--London--Sydney--Tokyo--Toronto, Academic Press, 1988). v. 72
  5. И.А. Авруцкий, В.А. Сычугов, Б.А. Усиевич. ФТП, 25, 1787 (1991)
  6. I.V. Bradley, W.P. Gillin, K.P. Homewood, R.P. Webb. J. Appl. Phys., 73, 1686 (1993)
  7. G.Ji.D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987)
  8. M. Wojtowiez, D. Pascua, A.-C. Han, T.R. Block, D.C. Streit. J. Cryst. Growth, 175/176, 930 (1997)
  9. T.G. Anderson, Z.G. Chen, V.D. Kulakovskii, A. Uddin, J.T. Valin. Phys. Rev. B, 37, 4032 (1988)
  10. L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1984)
  11. P.O. Vaccaro, M. Takahashi, K. Fujita, T. Watanabe. J. Appl. Phys., 76, 8037 (1994)
  12. А.С. Игнатьев, М.В. Карачевцева, В.Г. Мокеров, Г.З. Немцев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. ФТП, 28, 125 (1994)
  13. Er-Huan Ping, V. Dalal. J. Appl. Phys., 74, 5349 (1993)
  14. M.J.L.S. Haines, N. Abmed, S.J.A. Adams, K. Mitchell, I.R. Agool, C.R. Pidgeon, B.C. Cavenett, E.P. O'Reilly, A. Ghiti, M.T. Emeny. Phys. Rev. B, 43, 11 944 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.