Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция туннельно-связанных квантовых ям
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2004 г.
Предложенный ранее спектрально-корреляционный метод исследования наноструктур применен для изучения фотолюминесценции туннельно-связанных и изолированных квантовых ям в структурах с планарно-неоднородными слоями. Этот метод позволил исследовать на одном образце зависимости интенсивностей линий фотолюминесценции и их энергетических положений от ширины туннельного барьера для системы туннельно-связанных ям GaAs-InGaAs-GaAs и от ширины квантовых ям для системы изолированных квантовых ям AlGaAs-GaAs-AlGaAs. Полученные экспериментальные данные удается согласовать с теоретическими расчетами, предположив в структуре с туннельно-связанными квантовыми ямами наличие постоянного поперечного электрического поля, влияющего на процессы захвата носителей в квантовые ямы. Для изолированных квантовых ям зависимость параметров фотолюминесценции от ширины ям демонстрирует чувствительность к рельефу гетерограниц и к процессам захвата носителей в квантовые ямы.
- Ю.В. Хабаров. Патент РФ N 2168238 (2001)
- Ю.В. Хабаров. ФТП, 37, 339 (2003)
- M.A. Herman, D. Bimberg, J. Christen. J. Appl. Phys., 70, R1 (1991)
- G. Bastard, C. Delalande, Y. Guldner, P. Voison. Advances in Electronics and Electron Physics, ed. by Peter W. Hawkes (Boston--San Siego--N.Y.--Berkeley--London--Sydney--Tokyo--Toronto, Academic Press, 1988). v. 72
- И.А. Авруцкий, В.А. Сычугов, Б.А. Усиевич. ФТП, 25, 1787 (1991)
- I.V. Bradley, W.P. Gillin, K.P. Homewood, R.P. Webb. J. Appl. Phys., 73, 1686 (1993)
- G.Ji.D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987)
- M. Wojtowiez, D. Pascua, A.-C. Han, T.R. Block, D.C. Streit. J. Cryst. Growth, 175/176, 930 (1997)
- T.G. Anderson, Z.G. Chen, V.D. Kulakovskii, A. Uddin, J.T. Valin. Phys. Rev. B, 37, 4032 (1988)
- L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1984)
- P.O. Vaccaro, M. Takahashi, K. Fujita, T. Watanabe. J. Appl. Phys., 76, 8037 (1994)
- А.С. Игнатьев, М.В. Карачевцева, В.Г. Мокеров, Г.З. Немцев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. ФТП, 28, 125 (1994)
- Er-Huan Ping, V. Dalal. J. Appl. Phys., 74, 5349 (1993)
- M.J.L.S. Haines, N. Abmed, S.J.A. Adams, K. Mitchell, I.R. Agool, C.R. Pidgeon, B.C. Cavenett, E.P. O'Reilly, A. Ghiti, M.T. Emeny. Phys. Rev. B, 43, 11 944 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
