"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге
Ардышев М.В.1, Ардышев В.М.1, Крючков Ю.Ю.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 16 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Методами вольт-фарадных характеристик и резерфордовского обратного рассеяния исследованы диффузионные параметры кремния 28Si при диффузии из предварительно созданных n-слоев в полуизолирующий GaAs при "электронном" и термическом отжигах. Слои были легированы серой или кремнием. Отмечается, что степень активации 28Si и коэффициент диффузии зависят от лигатуры, используемой при формировании n-слоя, и от режима имплантации (непрерывный или частотно-импульсный с длительностью импульса 1.3· 10-2 с и скважностью 100).
  1. М.В. Ардышев, В.М. Ардышев. ФТП, 32, 1153 (1998)
  2. М.В. Ардышев, В.М. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 70 (2000)
  3. М.В. Ардышев, В.М. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 28 (2000)
  4. М.В. Ардышев, В.М. Ардышев. Изв. вузов. Физика, 41 (11), 44 (1998)
  5. В.М. Ардышев, В.А. Селиванова, О.Н. Коротченко, А.П. Мамонтов. А.с. N 235899 от 01.04.1986
  6. Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М., Наука, 1983)
  7. A. Bakowski. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. and Technol., 127, 1644 (1980)
  8. E.L. Allen, M.D. Deal, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 67, 3311 (1990)
  9. М.В. Ардышев, В.М. Ардышев, С.С. Хлудков. Тр. 5-й Межд. конф. "Актуальные проблемы электронного приборостроения << АПЭП-2000>>" (Новосибирск, Россия, 2000) т. 2, с. 119
  10. Н.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
  11. Дж. Мейер, Дж. Эриксон. Ионное легирование полупроводников (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.