Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге

Ардышев М.В.¹, Ардышев В.М.¹, Крючков Ю.Ю.²

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 16 мая 2003 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

PDF версия

Методами вольт-фарадных характеристик и резерфордовского обратного рассеяния исследованы диффузионные параметры кремния ²⁸Si при диффузии из предварительно созданных n-слоев в полуизолирующий GaAs при "электронном" и термическом отжигах. Слои были легированы серой или кремнием. Отмечается, что степень активации ²⁸Si и коэффициент диффузии зависят от лигатуры, используемой при формировании n-слоя, и от режима имплантации (непрерывный или частотно-импульсный с длительностью импульса 1.3· 10^-2 с и скважностью 100).

М.В. Ардышев, В.М. Ардышев. ФТП, 32, 1153 (1998)
М.В. Ардышев, В.М. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 70 (2000)
М.В. Ардышев, В.М. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 28 (2000)
М.В. Ардышев, В.М. Ардышев. Изв. вузов. Физика, 41 (11), 44 (1998)
В.М. Ардышев, В.А. Селиванова, О.Н. Коротченко, А.П. Мамонтов. А.с. N 235899 от 01.04.1986
Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация (М., Наука, 1983)
A. Bakowski. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. and Technol., 127, 1644 (1980)
E.L. Allen, M.D. Deal, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 67, 3311 (1990)
М.В. Ардышев, В.М. Ардышев, С.С. Хлудков. Тр. 5-й Межд. конф. "Актуальные проблемы электронного приборостроения << АПЭП-2000>>" (Новосибирск, Россия, 2000) т. 2, с. 119
Н.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
Дж. Мейер, Дж. Эриксон. Ионное легирование полупроводников (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель