Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2004, выпуск 3 » Статья стр. 257
>>>
Генезис наноразмерных дефектов и разрушений в GaAs при многократном квазистатическом фотодеформировании микронных областей полупроводника
Винценц С.В.1, Зайцева А.В., Зайцев В.Б., Плотников Г.С.
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
PDF версия
Методами атомно-силовой микроскопии, фототермических (квазистатических) деформаций поверхностей и по кинетике интенсивности зеркально отраженного света изучены особенности дефектообразования в GaAs в зависимости от числа N воздействующих на полупроводник сфокусированных лазерных импульсов. Облучение полупроводника сопровождалось его электронным возбуждением, локальным нагревом и деформированием поверхностных слоев. Впервые показано, что генезис поверхностных дефектов и разрушений полупроводника (внутри лазерного пятна микронных размеров) носит многостадийный характер вблизи порогов пластичности. Дефектно-индуцированные и пластические нанометровые поверхностные смещения Delta Uz нарастают с увеличением N лишь при превышении сдвиговыми деформациями поверхностей varphi определенных ранее величин 10-5<varphi0<10-4 деформационных пределов упругости (квазиупругости) в GaAs. Обсуждается природа возникновения наноразмерных дефектов и их самоорганизации на ранних стадиях фотодеформаций полупроводника, а также возможная связь обнаруженных эффектов с последующим катастрофическим разрушением микронных областей GaAs при больших значениях N.
  1. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  2. А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
  3. Semiconductors and Semimetals, v. 23. Pulsed Laser Processing of Semiconductors, ed. by R.F. Wood, C.W. White, R.T. Young (N.Y., Academic Press, 1984)
  4. Н.Г. Джумамухамбетов, А.Г. Дмитриев. Письма ЖТФ, 17 (13), 21 (1991)
  5. В.Д. Андреева, М.И. Анисимов, Н.Г. Джумамухамбетов, А.Г. Дмитриев. ФТП, 24, 1010 (1990)
  6. Б.Г. Грибов, Г.М. Гусаков, Т.Н. Кондратова, Е.Н. Нагдаев, А.В. Родионов. ДАН СССР, 314, 618 (1990)
  7. А.И. Ефимова, П.К. Кашкаров, В.И. Петров, В.Ю. Тимошенко. Поверхность, N 8, 94 (1990)
  8. Н.Г. Джумамухамбетов, А.Г. Дмитриев. ФТП, 22, 1880 (1988)
  9. Г.М. Гусаков, Т.Н. Кондратова, К.С. Капский, А.И. Ларюшин, ФТП, 23, 1864 (1989)
  10. П.К. Кашкаров, В.И. Петров, Д.В. Птицын, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 23, 2080 (1989)
  11. Г.Д. Ивлев, Ф.М. Кощанов, В.Л. Малевич, Е.А. Тявловская. Письма ЖТФ, 16 (6), 42 (1990)
  12. C. Cohen, J. Siejka, D. Pribat. J. de Phys., C5, 44 (10), 179 (1983)
  13. К.К. Джаманбалин, А.Г. Дмитриев, Э.Н. Сокол-Номоконов, Ю.И. Уханов. Физика и химия обраб. материалов, N 2, 20 (1990)
  14. А.Г. Дмитриев. ФТП, 27, 582 (1993)
  15. F.A. McDonald, R.J. Gutfield, R.W. Dreyfus. IEEE Ultrasonic Sympos., 403 (1986)
  16. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев. ЖТФ, 67, 105 (1997)
  17. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев, О.Г. Шагимуратов. ФТТ, 38, 993 (1996)
  18. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев, К.И. Спиридонов. ФТТ, 39, 2224 (1997)
  19. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев, Р.А. Захаров, Г.С. Плотников. ФТП, 31, 513 (1997)
  20. S.V. Vintsents, V.B. Zaitsev, A.V. Zoteyev, G.S. Plotnikov, A.V. Chervyakov. 3th Int. Conf. on Physics of Low-Dimensional Structures. (Chernogolovka, 2001), 3, 69
  21. С.В. Винценц, В.Б. Зайцев, А.В. Зотеев, Г.С. Плотников, А.И. Родионов, А.В. Червяков. ФТП, 36, 947 (2002)
  22. С.В. Винценц, А.В. Зотеев, Г.С. Плотников. ФТП, 36, 902 (2002)
  23. А.Г. Барсков, С.В. Винценц. ФТТ, 36, 2590 (1994)
  24. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев. Письма ЖТФ, 21 (19), 1 (1995)
  25. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев, О.Г. Шагимуратов. Письма ЖТФ, 22 (8), 8 (1996)
  26. А.Г. Барсков, С.В. Винценц, Г.Г. Дворянкина, З.М. Лебедева, В.Е. Любченко, А.Б. Ормонт, А.Г. Петров. Поверхность, N 3, 79 (1995)
  27. D.V. Lioubtchenko, I.A. Markov, T.A. Briantseva. Appl. Surf. Sci., 195, 42 (2002)
  28. А. Блажис, С. Жиленис, Г. Таутвайшас. ЖТФ, 58 (11), 2237 (1988)
  29. W.W. Duley. Laser Processing and Analysis of Materials (Plenum Press, 1983)
  30. В.И. Борисов, В.Е. Любченко, А.С. Рогашков. Электрон. техн., сер. Электроника СВЧ, 10, 404 (1987)
  31. В.Е. Любченко. Радиотехника, N 2, 16 (2002)
  32. А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1979)
  33. П.К. Кашкаров, М.В. Русина, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 26 (10), 1835 (1992)
  34. C.S. Lee, N. Koumvakalis, M. Bass. Appl. Phys. Lett., 47, 625 (1982); Opt.Eng., 22, 419 (1983); J. Appl. Phys., 54, 5727 (1983)
  35. S.S. Cohen, J.B. Bernstein, P.W. Wyatt. J. Appl. Phys., 71, 630 (1992)
  36. А.С. Филонов, И.В. Яминский. Руководство пользователя "ФемтоСкан-001" (М., ЦПТ, 1999)
  37. Ю.И. Головин, А.И. Тюрин. ФТТ, 42, 1818 (2000)
  38. В.П. Алехин. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов (М., Наука, 1983)
  39. В.И. Емельянов, П.К. Кашкаров. Поверхность, N 2, 77 (1990)
  40. V.I. Emel'yanov, P.K. Kashkarov. Appl. Phys. A., 55, 161 (1992)
  41. П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Поверхность, N 6, 5 (1995)
  42. С.В. Винценц, А.В. Зайцева, Г.С. Плотников. ФТП, 37, 134 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme