Вышедшие номера
Генезис наноразмерных дефектов и разрушений в GaAs при многократном квазистатическом фотодеформировании микронных областей полупроводника
Винценц С.В.1, Зайцева А.В., Зайцев В.Б., Плотников Г.С.
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Методами атомно-силовой микроскопии, фототермических (квазистатических) деформаций поверхностей и по кинетике интенсивности зеркально отраженного света изучены особенности дефектообразования в GaAs в зависимости от числа N воздействующих на полупроводник сфокусированных лазерных импульсов. Облучение полупроводника сопровождалось его электронным возбуждением, локальным нагревом и деформированием поверхностных слоев. Впервые показано, что генезис поверхностных дефектов и разрушений полупроводника (внутри лазерного пятна микронных размеров) носит многостадийный характер вблизи порогов пластичности. Дефектно-индуцированные и пластические нанометровые поверхностные смещения Delta Uz нарастают с увеличением N лишь при превышении сдвиговыми деформациями поверхностей varphi определенных ранее величин 10-5<varphi0<10-4 деформационных пределов упругости (квазиупругости) в GaAs. Обсуждается природа возникновения наноразмерных дефектов и их самоорганизации на ранних стадиях фотодеформаций полупроводника, а также возможная связь обнаруженных эффектов с последующим катастрофическим разрушением микронных областей GaAs при больших значениях N.