Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
Приведены результаты экспериментальных исследований p-i-n-диодов на основе SiC в конструкции переключателя 3-сантиметрового диапазона на базе волноводно-щелевой линии. Получены значения потерь запирания переключателя 18.5-23 дБ при токе управления 100 мА. Приведена сравнительная оценка последовательного сопротивления на частоте 10 ГГц и дифференциального сопротивления на низких частотах p-i-n-диодов на основе Si и SiC.
- А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33 (9), 1096 (1999)
- K. Vasilevski, K. Zekentes, G. Constantinidis, A. Strel'chuk. Sol. St. Electron., 44 (7), 1173 (2000)
- Г.Б. Дзехцер, О.С. Орлов. P--I--N-диоды в широкополосных устройствах (М., Сов. радио, 1970)
- СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет, под ред. Н.В. Мольского, Б.В. Сестрорецкого (М., Сов. радио, 1969)
- В.А. Вайсблат. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах (М., Радио и связь, 1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
