Сверхскоростной электронный дрейф в полевых полупроводниковых структурах с секционированным каналом
Гергель В.А.1, Гуляев Ю.В.1, Зеленый А.П.1, Якупов М.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
Исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в специфических полупроводниковых структурах, в которых сравнительно высокоомная дрейфовая область разделена на несколько нанометровых подобластей соответствующим числом низкоомных включений также нанометровой протяженности. Показано, что в расположенных на дрейфовых электронных траекториях низкоомных участках происходит эффективное снижение электронной температуры, обеспечивающее сохранение высокой электронной подвижности на высокоомных участках траектории. В результате известный эффект падения электронной подвижности подавляется, и становится возможным достижение сравнительно высоких, существенно превышающих скорость насыщения, значений эффективной дрейфовой скорости электронного потока.
- В.А. Гергель, В.Г. Мокеров. ДАН, 375, 609 (2000)
- В.А. Гергель, В.Г. Мокеров, М.В. Тимофеев, Ю.В. Федоров. ФТП, 34, 239 (2000)
- T. Enoki, S. Sugitani, Y. Yamane. IEEE Trans. Electron Dev., 37, 935 (1990)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук