"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сверхскоростной электронный дрейф в полевых полупроводниковых структурах с секционированным каналом
Гергель В.А.1, Гуляев Ю.В.1, Зеленый А.П.1, Якупов М.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в специфических полупроводниковых структурах, в которых сравнительно высокоомная дрейфовая область разделена на несколько нанометровых подобластей соответствующим числом низкоомных включений также нанометровой протяженности. Показано, что в расположенных на дрейфовых электронных траекториях низкоомных участках происходит эффективное снижение электронной температуры, обеспечивающее сохранение высокой электронной подвижности на высокоомных участках траектории. В результате известный эффект падения электронной подвижности подавляется, и становится возможным достижение сравнительно высоких, существенно превышающих скорость насыщения, значений эффективной дрейфовой скорости электронного потока.
  1. В.А. Гергель, В.Г. Мокеров. ДАН, 375, 609 (2000)
  2. В.А. Гергель, В.Г. Мокеров, М.В. Тимофеев, Ю.В. Федоров. ФТП, 34, 239 (2000)
  3. T. Enoki, S. Sugitani, Y. Yamane. IEEE Trans. Electron Dev., 37, 935 (1990)
  4. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.