"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения
Куликов В.Б.1, Аветисян Г.Х.1, Василевская Л.М.1, Залевский И.Д.2, Будкин И.В.2, Падалица А.А.2
1ГУП НПП "Пульсар", Москва, Россия
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

В последнее время для выращивания приборных структур с квантовыми ямами наряду с молекулярно-лучевой эпитаксией все больше используют газофазную эпитаксию из металлорганических соединений (МОС-гидридную эпитаксию). Наш опыт работы с фотоприемниками на основе структур с квантовыми ямами, выращенных методом МOС-гидридной эпитаксии, показывает, что они обладают рядом отличий от аналогов, полученных с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии. К таким отличиям следует отнести более существенную асимметрию вольт-амперной характеристики, наличие значительной фоточувствительности при нормальном падении излучения без специальных устройств ввода. Указанные отличия связаны, на наш взгляд, с особенностями процесса эпитаксии. В настоящей работе представлены результаты экспериментального исследования таких фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами, обсуждается их связь со структурными особенностями, обусловленными процессом МОС-гидридной эпитаксии.
  1. A. Brandel, A. Fraenkel, E. Finkman, G. Bahir, G. Livescu. Semicond. Sci. Technol., 8, S412 (1993)
  2. Y. Zhang, N. Baruh, W.I. Wang. Electron. Lett., 29 (2), 213 (1993)
  3. W.E. Hagston, T. Stirner, F. Rasul. J. Appl. Phys., 89 (2), 1087 (2001)
  4. D.G. Deppe, N. Holonyak. J. Appl. Phys., 64 (12), R93 (1988)
  5. A.Я. Шик. ФТП, 20 (9), 1598 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.