Вышедшие номера
Влияние содержания In и Al на характеристики собственных дефектов в квантовых точках на основе арсенида галлия
Безъязычная Т.В.1, Зеленковский В.М.1, Рябцев Г.И.2, Соболев М.М.3
1Институт физико-органической химии Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Квантово-химическим неэмпирическим методом ССП МО ЛКАО исследовано влияние индия и алюминия на свойства дефектного комплекса AsGa (мышьяк, замещающий галлий в узле кристаллической решетки) в квантовых точках на основе арсенида галлия. Показано, что дефект AsGa может существовать в стабильном и метастабильном состояниях. Увеличение содержания индия или алюминия повышает вероятность формирования дефекта AsGa в стабильном состоянии, причем данный эффект сильнее проявляется при введении в квантовые точки атомов индия. Энергия активации перехода между стабильным и метастабильным состояниями варьируется от 0.886 до 2.049 эВ в зависимости от стехиометрического состава квантовых точек. Возникновение дефекта AsGa приводит к появлению в запрещенной зоне двух глубоких уровней.