Компенсация доноров в обедненном слое кристаллов CdF2 с барьером Шоттки
Щеулин А.С.1, Купчиков А.К.1, Ангервакс А.Е.1, Рыскин А.И.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Исследованы радиочастотный отклик, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики полупроводниковых кристалов n-типа CdF2 : In, CdF2 : Ga и CdF2 : Y с барьером Шоттки. Особенности указанных характеристик объяснены на основе предположения о транспорте заряда из металла в обедненный слой, обусловленном образованием в приконтактной области возбуждений Cd0 за счет поставляемых металлом (Au) пар электронов. Эти возбуждения осуществляют компенсацию доноров в слое объемного заряда толщиной порядка микрометра, прилегающего к контакту.
- I. Balberg. J. Appl. Phys., 58, 2903 (1985)
- П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, С.Г. Конников, Л. Ивс, П.С. Майн. ФТП, 32, 1229 (1998)
- F. Nrautweiler, R. Moser, R.P. Khoshla. J. Phys. Chem. Sol., 29, 1869 (1968)
- J.E. Dmochowski, W. Jantsch, D. Dobosz, J.M. Langer. Acta Phys. Polon. A, 73, 27 (1988)
- A.S. Shcheulin, A.I. Pyskin, K. Swialek, J.M. Langer. Phys. Lett., A, 222, 107 (1996)
- А.И. Рыскин, П.П. Федоров. ФТТ, 39, 1050 (1996)
- D.E. Onopko, A.I. Ryskin. Phys. Rev. B, 61, 12 962 (2000)
- C.H. Park, J.D. Chadi. Phys. Rev. Lett., 82, 113 (1999)
- A.S. Shcheulin, A.K. Kupchikov, A.E. Angervaks, D.E. Onopko, A.I. Ryskin, A.I. Ritus, A.V. Pronin, A.A. Volkov, P. Lunkrnheimer, A. Loidl. Phys. Rev. B, 623, 205 207 (2001)
- F. Moser, D. Matz, S. Lyu. Phys. Rev., 182, 808 (1969)
- J.M. Kanger, T. Langer, G.L. Pearson, B. Krukowska-Fulde, U. Piekara. Phys. St. Sol. ( b), 66, 537 (1974)
- S.A. Kazanskii, A.I. Ryskin, A.S. Shcheulin, R.A. Linke, A.E. Angervaks. Physica B, 308--310, 1035 (2001)
- R.A. Linke, A.S. Shcheulin, A.I. Ryskin, I.I. Buchinskaya, P.P. Fedorov, B.P. Sobolev. Appl. Phys. B (Lasers and Optics), 72, 677 (2001)
- A.I. Ryskin, A.S. Shcheulin, E.V. Miloglyadov, R.A. Linke, I. Redmond, I.I. Buchinskaya, P.P. Fedorov, B.P. Sobolev. J. Appl. Phys., 83, 2215 (1998)
- B.A. Orlowski, J.M. Langer. Acta Phys. Polon. A, 63, 107 (1983)
- R. Mach, E.U. Messerschmidt. Phys. St. Sol. ( a), 42, K187 (1977)
- J. Garbarczyk, B. Krukowska-Fulde, T. Langer, J.M. Langer. J. Phys. D: Appl. Phys., 11, L17 (1978)
- A. Singh. Sol. St. Electron., 26, 815 (1983)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких ценров в полупроводниках (М., Наука, 1981)
- A.I. Ritus, A.V. Pronin, A.A. Volkov, P. Lunkenheimer, A. Loidl, A.S. Shcheulin, A.I. Ryskun. Phys. Rev. B, 65, 165 209 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук