"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диффузия цинка в незащищенную поверхность InP
Андриевский В.Ф.1, Гущинская Е.В.1, Малышев С.А.1
1Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 11 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований InP:Zn, полученного методом диффузии цинка в открытой системе в незащищенную поверхность InP. Изучено влияние отжигов в атмосферах азота и водорода, проведенных перед диффузией Zn на параметры фосфида индия. Установлено, что при термическом отжиге в атмосфере азота в фосфиде индия создается насыщенный азотом приповерхностный слой, который препятствует испарению фосфора, уменьшает генерацию рекомбинационных центров в фосфиде индия и увеличивает концентрацию электрически активной примеси цинка в p-области фосфида индия.
  1. M. Wada, K. Sakakibqara, M. Higuchi, Y. Sekiguchi. J. Cryst. Growth, 114, 321 (1991)
  2. Yu Kin Man, L.Y. Chan, R. Leon, E.E. Haller, J.M. Jaklevic, C. Hanson. J. Appl. Phys., 74, 86 (1993)
  3. P.N. Favennec, L. Henty, M. Gauneau, H. Lharidon, G. Pelous. Electron. Lett., 16 (22) 882 (1980)
  4. S. Aytac, A. Schachetzki. Sol. St. Electron., 24, 57 (1981)
  5. H. Ando, N. Susa, H. Kanbe. Jap. J. Appl. Phys., 20 (3), L197 (1981)
  6. K. Kasmierski, A.M. Huber, G. Morillot, B de Gremoux. Jap. J. Appl. Phys., 23 (5),628 (1984)
  7. G.. van Gurp, T. van Dongen, G.M. Fontijn, J.M. Jacobs, D.A. Tjaden. J. Appl. Phys., 62 (2), 553 (1989)
  8. Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975) с. 685. [Пер. с англ.: Atomic diffusion in semiconductors, ed. by D. Shaw (London--N.Y., Plenum Press, 1973)]
  9. A.T. Gorelenok, V.F. Andrievskii, A.V. Kamanin, S.I. Kohanovskii, N.M. Shmidt. Proc. 2001 European Microwave Week: GaAs2001 Conf. (London, UK, 2001) p. 13
  10. В.Ф. Андриевский А.Т. Гореленок, Н.А. Загорельская, А.В. Каманин, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 27 (23), 68 (2001)
  11. A.T. Gorelenok, V.F. Andrievskii, A.V. Kamanin, S.I. Kohanovskii, N.M. Shmidt. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., Section B, 186 (1--4), 240 (2001)
  12. T. Kamijoh, H. Takang, M. Sakuta. J. Appl. Phus., 55 (10), 3756 (1984)
  13. V.F. Andrievskii, E.V. Gushchinskaya, Yu.S. Emelyanenko, S.A. Malyshev. Heterostructure Epitaxy and Devices-HEAD'97, ed. by P. Kordos, J. Novak (Kluwer Academic Publishers, 1998) p. 149
  14. V.F. Andrievskii, E.V. Gushchinskaya, S.A. Malyshev. Proc 10th IEEE Int. Symp. on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic: Applications-EDMO'2002 (Manchester, UK, 2001) p. 5

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.