Диффузия цинка в незащищенную поверхность InP
Андриевский В.Ф.1, Гущинская Е.В.1, Малышев С.А.1
1Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 11 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Представлены результаты экспериментальных исследований InP:Zn, полученного методом диффузии цинка в открытой системе в незащищенную поверхность InP. Изучено влияние отжигов в атмосферах азота и водорода, проведенных перед диффузией Zn на параметры фосфида индия. Установлено, что при термическом отжиге в атмосфере азота в фосфиде индия создается насыщенный азотом приповерхностный слой, который препятствует испарению фосфора, уменьшает генерацию рекомбинационных центров в фосфиде индия и увеличивает концентрацию электрически активной примеси цинка в p-области фосфида индия.
- M. Wada, K. Sakakibqara, M. Higuchi, Y. Sekiguchi. J. Cryst. Growth, 114, 321 (1991)
- Yu Kin Man, L.Y. Chan, R. Leon, E.E. Haller, J.M. Jaklevic, C. Hanson. J. Appl. Phys., 74, 86 (1993)
- P.N. Favennec, L. Henty, M. Gauneau, H. Lharidon, G. Pelous. Electron. Lett., 16 (22) 882 (1980)
- S. Aytac, A. Schachetzki. Sol. St. Electron., 24, 57 (1981)
- H. Ando, N. Susa, H. Kanbe. Jap. J. Appl. Phys., 20 (3), L197 (1981)
- K. Kasmierski, A.M. Huber, G. Morillot, B de Gremoux. Jap. J. Appl. Phys., 23 (5),628 (1984)
- G.. van Gurp, T. van Dongen, G.M. Fontijn, J.M. Jacobs, D.A. Tjaden. J. Appl. Phys., 62 (2), 553 (1989)
- Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М., Мир, 1975) с. 685. [Пер. с англ.: Atomic diffusion in semiconductors, ed. by D. Shaw (London--N.Y., Plenum Press, 1973)]
- A.T. Gorelenok, V.F. Andrievskii, A.V. Kamanin, S.I. Kohanovskii, N.M. Shmidt. Proc. 2001 European Microwave Week: GaAs2001 Conf. (London, UK, 2001) p. 13
- В.Ф. Андриевский А.Т. Гореленок, Н.А. Загорельская, А.В. Каманин, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 27 (23), 68 (2001)
- A.T. Gorelenok, V.F. Andrievskii, A.V. Kamanin, S.I. Kohanovskii, N.M. Shmidt. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., Section B, 186 (1--4), 240 (2001)
- T. Kamijoh, H. Takang, M. Sakuta. J. Appl. Phus., 55 (10), 3756 (1984)
- V.F. Andrievskii, E.V. Gushchinskaya, Yu.S. Emelyanenko, S.A. Malyshev. Heterostructure Epitaxy and Devices-HEAD'97, ed. by P. Kordos, J. Novak (Kluwer Academic Publishers, 1998) p. 149
- V.F. Andrievskii, E.V. Gushchinskaya, S.A. Malyshev. Proc 10th IEEE Int. Symp. on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic: Applications-EDMO'2002 (Manchester, UK, 2001) p. 5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук