Вышедшие номера
Диффузия цинка в незащищенную поверхность InP
Андриевский В.Ф.1, Гущинская Е.В.1, Малышев С.А.1
1Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 11 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований InP:Zn, полученного методом диффузии цинка в открытой системе в незащищенную поверхность InP. Изучено влияние отжигов в атмосферах азота и водорода, проведенных перед диффузией Zn на параметры фосфида индия. Установлено, что при термическом отжиге в атмосфере азота в фосфиде индия создается насыщенный азотом приповерхностный слой, который препятствует испарению фосфора, уменьшает генерацию рекомбинационных центров в фосфиде индия и увеличивает концентрацию электрически активной примеси цинка в p-области фосфида индия.