[!t] = Исполнилось 75 лет известному специалисту в области физики полупроводников и полупроводниковых наноструктур, члену-корреспонденту РАН, руководителю научного направления "Физика микро- и наноструктур" "Федерального исследовательского центра Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН), заведующему лабораторией спектроскопии твердого тела Института физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) - филиала ИПФ РАН, профессору, доктору физико-математических наук Захарию Фишелевичу Красильнику. После окончания в 1970 г. радиофизического факультета Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобаческого З. Ф. Красильник поступил на работу в Научно-исследовательский радиофизический институт (г. Горький). В 1977 г. он был переведен во вновь образованный Институт прикладной физики АН СССР, где прошел путь от младшего научного сотрудника до заместителя директора отделения физики твердого тела и оптики, заведующего отделом физики полупроводников. В 1977 г. З. Ф. Красильник защитил кандидатскую диссертацию "Взаимодействие волн в полупроводниках с дрейфом носителей заряда". Наиболее значимыми результатами тех лет стали предсказание взрывной неустойчивости акустоэлектронных волн, в том числе в условиях генерации гиперзвука светом при вынужденном рассеянии Мандельштама-Бриллюэна и комбинационного усиления звука в пьезополупроводниках в условиях черенковского резонанса при скоростях дрейфа, меньших скорости звука. В дальнейшем его научные интересы были связаны с горячими носителями заряда в полупроводниках, одним из важнейших результатов которых явилось получение стимулированного циклотронного излучения горячими дырками с отрицательными эффективными массами в Ge и создание перестраиваемого магнитным полем мазера миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. За цикл работ "Инвертированные распределения горячих носителей заряда в полупроводниках и генерация стимулированного излучения в миллиметровом, субмиллиметровом и дальнем ИК диапазонах (полупроводниковые мазеры и лазеры на горячих дырках)" З. Ф. Красильнику с соавторами в 1987 г. была присуждена Государственная премия СССР в области науки и техники. С 1994 г. З. Ф. Красильник - заместитель директора по научной работе, заведующий отделом физики полупроводников Института физики микроструктур РАН, который был образован в 1993 г. на базе отделения физики твердого тела и оптики ИПФ РАН. По инициативе З. Ф. Красильника в ИФМ РАН были начаты работы по развитию технологии молекулярно-пучковой эпитаксии и исследованию оптических свойств кремний-германиевых структур и структур кремний-эрбий, которые в короткий срок вывели возглавляемый им коллектив на лидирующие позиции в России и в мире. Была развита технология роста структур со светоизлучающими при комнатной температуре в телекоммуникационном диапазоне кремний-германиевыми квантовыми точками и эпитаксиальных структур кремний-эрбий. Продемонстрировано многократное повышение эффективности их люминесценции в резонаторных структурах и фотонных кристаллах. Созданы гибридные А₃В₅ лазеры на искусственных подложках Ge/Si. Эти результаты принесли З. Ф. Красильнику признание как лидеру научного направления "кремниевая оптоэлектроника" в России. Руководимая им научная школа неизменно получала государственную поддержку как ведущая научная школа Российской Федерации. В 2009 г. З. Ф. Красильник был избран директором ИФМ РАН, который в 2016 г. стал филиалом "Федерального исследовательского центра Институт прикладной физики РАН". В 2016 г. З. Ф. Красильник был избран членом-корреспондентом Российской академии наук. С 2020 г. З. Ф. Красильник - руководитель научного направления "Физика микро- и наноструктур" ИПФ РАН. Помимо исследовательской работы З. Ф. Красильник ведет большую научно-организационную и педагогическую работу. В 2012-2022 гг. он был членом бюро Отделения физических наук РАН. В 1989-2004 гг. З. Ф. Красильник руководил филиалом кафедры электроники Горьковского (Нижегородского) государственного университета им. Н. И. Лобачевского в ИПФ (с 1994 г. - в ИФМ РАН), а с 2004 г. возглавляет межфакультетскую базовую кафедру "Физика наноструктур и наноэлектроника" ННГУ в ИФМ РАН, на которой проходят обучение свыше 50 студентов трех физических факультетов Нижегородского университета. В 2017 г. ему присвоено звание Заслуженного профессора ННГУ. З. Ф. Красильник является почетным сотрудником ФТИ им. А. Ф. Иоффе и ИФТТ РАН. З. Ф. Красильник - член Научного совета по физике полупроводников РАН, член редколлегий журналов "Успехи физических наук", "Физика и техника полупроводников", член ряда ученых и диссертационных советов, сопредседатель ежегодного Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", являющегося на сегодняшний день крупнейшим научным форумом по физике наноструктур в России, организатор ряда других российских и международных конференций. Поздравляя дорогого Захария Фишелевича со славным юбилеем, выражаем ему наши глубокие уважение и симпатию и желаем доброго здоровья, жизнелюбия, благополучия и новых научных достижений! Редколлегия журнала, друзья и коллеги

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.