Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов
РФФИ, Конкурс на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, 20-02-00117
Мынбаева М.Г.
1, Амельчук Д.Г.
1, Смирнов А.Н.
1, Никитина И.П.
1, Лебедев С.П.
1, Давыдов В.Ю.
1, Лебедев А.А.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru, amelchuk.dmitriy@mail.ioffe.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru, irina.nikitina45@gmail.com, lebedev.sergey@mail.ioffe.ru, valery.davydov@mail.ioffe.ru, shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 9 ноября 2022 г.
Принята к печати: 10 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2022 г.
Реализован подход прямого сращивания пластин SiC различающихся политипов, который позволяет переносить гетероэпитаксиальные слои кубического политипа 3C-SiC, выращенные химическим осаждением из газовой фазы, на пластину гексагонального политипа 6H-SiC с целью создания комбинированной подложки для проведения гомоэпитаксии. Результаты структурной характеризации показали, что качество сублимационной эпитаксии 3C-SiC на комбинированных подложках находится на современном уровне эпитаксии кубического карбида кремния методом химического осаждения из газовой фазы. Получено подтверждение того, что именно 3C-SiC слой, перенесенный на подложку 6H-SiC, играет роль кристаллической "затравки", задающей рост кубического политипа. Ключевые слова: карбид кремния, политипы, прямое сращивание, темплейты, сублимационная эпитаксия.
- T. Kimoto, J. Cooper. Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications (John Wiley \& Sons, Ltd., Singapore, 2014)
- J. Millan, P. Godignon, X. Perpina, A. Perez-Tomas, J. Rebollo. IEEE Trans. Power Electron., 29, 2155 (2014)
- A. Lidow, M. de Rooij, J. Strydom, D. Reusch, J. Glaser. GaN Transistors for Efficient Power Conversion (John Wiley \& Sons, Ltd., 2019)
- F. Roccaforte, P. Fiorenza, G. Greco, R.L. Nigro, F. Giannazzo, A. Patti, M. Saggio. Phys. Status Solidi A, 211, 2063 (2014)
- D.G. Senesky, B. Jamshid, K.B. Chen, A.P. Pisano. IEEE Sens. J., 9 (11), 1472 (2009)
- S. Nishino, J.A. Powell, H.A. Will. Appl. Phys. Lett., 42, 460 (1983)
- X. Li, H. Jacobson, A. Boulle, D. Chaussende, A. Henrye. ECS J. Solid State Sci. Technol., 3, 75 (2014)
- H. Das, S. Sunkari, J. Justice, D. Hamann. Mater. Sci. Forum, 1062, 406 (2022)
- J.P. Bergman, H. Lendenmann, P.A. Nilsson, U. Lindefelt, P. Skytt. Mater. Sci. Forum, 299, 353 (2001)
- P.C. Chen, W.C. Miao, T. Ahmed. Nanoscale Res. Lett., 17, 30 (2022)
- S.H. Christiansen, R. Singh, U. Gosele. Proc. IEEE, 94 (12), 2060 (2006)
- C. Wang, J. Xu, S. Guo, Q. Kang, Y. Wang, Y. Wang, Y. Tian. Appl. Surf. Sci., 471, 196 (2019)
- Q. Kang, C. Wang, F. Niu, S. Zhou, J. Xu, Y. Tian. Ceram. Int., 46, 22718 (2020)
- J. Xu, Wang, D. Li, J. Cheng, Y. Wang, C. Hang, Y. Tian. Ceram. Int., 45, 4094 (2019)
- N.S. Savkina, A.A. Lebedev, A.M. Strelchuk. Mater. Sci. Eng. B, 77, 50 (2000)
- S.Yu. Karpov, A.V. Kulik, I.A. Zhmakin, Yu.N. Makarov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, M.S. Ramm, A.D. Roenkov, Yu.A. Vodakov. J. Cryst. Growth, 211, 347 (2000)
- T. Perham, Report of University of North Texas Libraries, UNT Digital Library
- Z.L. Liau. Appl. Phys. Lett., 77 (5), 651 (2000)
- R. Tu, Z. Hu, Q. Xu, L. Li, M. Yang, Q. Li, J. Shi, H. Li, S. Zhang, L. Zhang, T. Goto, H. Ohmori, M. Kosinova, B. Basu. J. Asian Ceram. Soc., 7, 312 (2019)
- V. Radmilovic, U. Dahmen, D. Gao, C.R. Stoldt, C. Carraro, R. Maboudian. Diamond. Relat. Mater., 16 (1), 74 (2007)
- E. Spiecker, V. Radmilovic, U. Dahmen. Acta Materialia, 55, (10), 3521 (2007)
- A. van der Drift. Philips Res. Rep., 22, 267 (1967)
- F. La Via, V. Zimbone, C. Bongiorno, A. La Magna, G. Fisicaro, I. Deretzis, V. Scuderi, C. Calabretta, F. Giannazzo, M. Zielinski, R. Anzalone, M. Mauceri, D. Crippa, E. Scalise, A. Marzegalli, A. Sarikov, L. Miglio, V. Jokubavicius, M. Syvajarvi, R. Yakimova, P. Schuh, M. Scholer, M. Kollmuss, P. Wellmann. Materials (Basel), 14 (18), 5348 (2021)
- H. Iyer, Y.Xiao, D. Durlik, K. Tafaghodi, K. Leili; B. Mansoor. JOM: The journal of the Minerals, Metals \& Materials Society, 73 (1), 244 (2021)
- Y. Jousseaume, F. Cauwet, G. Ferro. J. Cryst. Growth, 593, 126783 (2022)
- S. Kawanishi, H. Shibata, T. Yoshikawa. Materials (Basel), 15 (5), 1796 (2022)
- M. Lee, D. Mikulik, M. Yang, S. Park. CrystEngComm, 19, 2036 (2017)
- W. Luo, L. Li, Z. Li, X. Xu, J. Wu, X. Liu, G. Zhang. Appl. Surf. Sci., 286, 358 (2013)
- J.L. Weyher, H. Ashraf, P.R. Hageman. Appl. Phys. Lett., 95 (3), 031913 (2009)
- H. Okumura, E. Sakuma, J.H. Lee, H. Mukaida, S. Misawa, K. Endo, S. Yoshida. J. Appl. Phys., 61 (3), 1134 (1987)
- S. Nakashima, H. Harima. Phys. Status Solidi A, 162, 39 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
