Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 11 » Статья стр. 1094
<<<>>>
Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов
DOI: 10.21883/FTP.2022.11.54262.9953
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.11.54965.9953
РФФИ, Конкурс на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, 20-02-00117
Мынбаева М.Г. 1, Амельчук Д.Г. 1, Смирнов А.Н. 1, Никитина И.П.1, Лебедев С.П. 1, Давыдов В.Ю. 1, Лебедев А.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru, amelchuk.dmitriy@mail.ioffe.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru, irina.nikitina45@gmail.com, lebedev.sergey@mail.ioffe.ru, valery.davydov@mail.ioffe.ru, shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 9 ноября 2022 г.
Принята к печати: 10 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2022 г.
PDF версия
Реализован подход прямого сращивания пластин SiC различающихся политипов, который позволяет переносить гетероэпитаксиальные слои кубического политипа 3C-SiC, выращенные химическим осаждением из газовой фазы, на пластину гексагонального политипа 6H-SiC с целью создания комбинированной подложки для проведения гомоэпитаксии. Результаты структурной характеризации показали, что качество сублимационной эпитаксии 3C-SiC на комбинированных подложках находится на современном уровне эпитаксии кубического карбида кремния методом химического осаждения из газовой фазы. Получено подтверждение того, что именно 3C-SiC слой, перенесенный на подложку 6H-SiC, играет роль кристаллической "затравки", задающей рост кубического политипа. Ключевые слова: карбид кремния, политипы, прямое сращивание, темплейты, сублимационная эпитаксия.
  1. T. Kimoto, J. Cooper. Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications (John Wiley \& Sons, Ltd., Singapore, 2014)
  2. J. Millan, P. Godignon, X. Perpina, A. Perez-Tomas, J. Rebollo. IEEE Trans. Power Electron., 29, 2155 (2014)
  3. A. Lidow, M. de Rooij, J. Strydom, D. Reusch, J. Glaser. GaN Transistors for Efficient Power Conversion (John Wiley \& Sons, Ltd., 2019)
  4. F. Roccaforte, P. Fiorenza, G. Greco, R.L. Nigro, F. Giannazzo, A. Patti, M. Saggio. Phys. Status Solidi A, 211, 2063 (2014)
  5. D.G. Senesky, B. Jamshid, K.B. Chen, A.P. Pisano. IEEE Sens. J., 9 (11), 1472 (2009)
  6. S. Nishino, J.A. Powell, H.A. Will. Appl. Phys. Lett., 42, 460 (1983)
  7. X. Li, H. Jacobson, A. Boulle, D. Chaussende, A. Henrye. ECS J. Solid State Sci. Technol., 3, 75 (2014)
  8. H. Das, S. Sunkari, J. Justice, D. Hamann. Mater. Sci. Forum, 1062, 406 (2022)
  9. J.P. Bergman, H. Lendenmann, P.A. Nilsson, U. Lindefelt, P. Skytt. Mater. Sci. Forum, 299, 353 (2001)
  10. P.C. Chen, W.C. Miao, T. Ahmed. Nanoscale Res. Lett., 17, 30 (2022)
  11. S.H. Christiansen, R. Singh, U. Gosele. Proc. IEEE, 94 (12), 2060 (2006)
  12. C. Wang, J. Xu, S. Guo, Q. Kang, Y. Wang, Y. Wang, Y. Tian. Appl. Surf. Sci., 471, 196 (2019)
  13. Q. Kang, C. Wang, F. Niu, S. Zhou, J. Xu, Y. Tian. Ceram. Int., 46, 22718 (2020)
  14. J. Xu, Wang, D. Li, J. Cheng, Y. Wang, C. Hang, Y. Tian. Ceram. Int., 45, 4094 (2019)
  15. N.S. Savkina, A.A. Lebedev, A.M. Strelchuk. Mater. Sci. Eng. B, 77, 50 (2000)
  16. S.Yu. Karpov, A.V. Kulik, I.A. Zhmakin, Yu.N. Makarov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, M.S. Ramm, A.D. Roenkov, Yu.A. Vodakov. J. Cryst. Growth, 211, 347 (2000)
  17. T. Perham, Report of University of North Texas Libraries, UNT Digital Library
  18. Z.L. Liau. Appl. Phys. Lett., 77 (5), 651 (2000)
  19. R. Tu, Z. Hu, Q. Xu, L. Li, M. Yang, Q. Li, J. Shi, H. Li, S. Zhang, L. Zhang, T. Goto, H. Ohmori, M. Kosinova, B. Basu. J. Asian Ceram. Soc., 7, 312 (2019)
  20. V. Radmilovic, U. Dahmen, D. Gao, C.R. Stoldt, C. Carraro, R. Maboudian. Diamond. Relat. Mater., 16 (1), 74 (2007)
  21. E. Spiecker, V. Radmilovic, U. Dahmen. Acta Materialia, 55, (10), 3521 (2007)
  22. A. van der Drift. Philips Res. Rep., 22, 267 (1967)
  23. F. La Via, V. Zimbone, C. Bongiorno, A. La Magna, G. Fisicaro, I. Deretzis, V. Scuderi, C. Calabretta, F. Giannazzo, M. Zielinski, R. Anzalone, M. Mauceri, D. Crippa, E. Scalise, A. Marzegalli, A. Sarikov, L. Miglio, V. Jokubavicius, M. Syvajarvi, R. Yakimova, P. Schuh, M. Scholer, M. Kollmuss, P. Wellmann. Materials (Basel), 14 (18), 5348 (2021)
  24. H. Iyer, Y.Xiao, D. Durlik, K. Tafaghodi, K. Leili; B. Mansoor. JOM: The journal of the Minerals, Metals \& Materials Society, 73 (1), 244 (2021)
  25. Y. Jousseaume, F. Cauwet, G. Ferro. J. Cryst. Growth, 593, 126783 (2022)
  26. S. Kawanishi, H. Shibata, T. Yoshikawa. Materials (Basel), 15 (5), 1796 (2022)
  27. M. Lee, D. Mikulik, M. Yang, S. Park. CrystEngComm, 19, 2036 (2017)
  28. W. Luo, L. Li, Z. Li, X. Xu, J. Wu, X. Liu, G. Zhang. Appl. Surf. Sci., 286, 358 (2013)
  29. J.L. Weyher, H. Ashraf, P.R. Hageman. Appl. Phys. Lett., 95 (3), 031913 (2009)
  30. H. Okumura, E. Sakuma, J.H. Lee, H. Mukaida, S. Misawa, K. Endo, S. Yoshida. J. Appl. Phys., 61 (3), 1134 (1987)
  31. S. Nakashima, H. Harima. Phys. Status Solidi A, 162, 39 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme