"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффективная масса электронов в MnxHg1-xTe
Несмелова И.М.1
1НПО Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Исследованы спектры отражения монокристаллов и эпитаксиальных слоев n-MnxHg1-xTe при 300 K. Определены экспериментальные значения эффективной массы электронов для образцов с x=0.06-0.10 и концентрацией электронов N>6·1016 см-3. Рассчитанные значения электронной эффективной массы близки к экспериментальным.
  1. A. Rogalski. Infr. Phys., 31 (2), 117 (1991)
  2. И.М. Несмелова, И.М. Лаврентьева, Н.С. Барышев, Н.П. Цицина. ЖПС, 63 (3), 510 (1996)
  3. A. Rogalski, K. Jozwikowski. Phys. St. Sol. (a), 122 (1), K39 (1990)
  4. О.А. Боднарук, И.Н. Горбатюк, С.Э. Остапов, И.М. Раренко. ФТП, 26 (3), 463 (1992)
  5. И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.