"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Дефектная люминесценция пленок GaN : Zn, отожженных в высокочастотной плазме аммиака
Сукач Г.А.1, Кидалов В.В.2, Власенко А.И.1, Потапенко Е.П.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Бердянский государственный педагогический институт, Бердянск, Украина
Поступила в редакцию: 15 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Проведены исследования влияния отжига в радикалах азота, полученных путем обработки аммиака в высокочастотном разряде, на люминесцентные свойства пленок GaN : Zn, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках (0001). По мере повышения температуры отжига наблюдалось монотонное уменьшение фиолетовой (2.88 эВ) и близкраевой (3.48 эВ) полос фотолюминесценции. В результате отжига в радикалах азота при температурах 500-750oC обнаружены новые полосы с энергиями максимумов 3.27 и 3.42 эВ, интенсивность которых увеличивалась с ростом температуры отжига. Проведен критический анализ механизмов образования и природы всех полос. Установлено, что полосы люминесценции 2.88, 3.42 и 3.27 эВ характерны для пленок GaN, полученных с помощью практически всех технологий, и связаны с простыми дефектами структуры. Экспериментально доказано участие кислорода в формировании полосы 3.42 эВ.
  1. S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 31, L139 (1992)
  2. J.C. Zolper, M. Hagerott, J. Grawtord, A.J. Howard, J. Ramer, S.D. Hersee. Appl. Phys. Lett., 68, 200 (1996)
  3. А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, У.А. Аминов, М.О. Воробьев, И.И. Ходос. ФТП, 35, 149 (2001)
  4. Т.В. Бутхузи, А.Н. Георгобиани, Е. Заде-Улы, Б.Т. Эльтазарова, Т.Г. Хулордава. Тр. ФИАН, 182, 140 (1987)
  5. Г.А. Сукач, В.В. Кидалов, А.И. Власенко, М.Б. Котляревский, Е.П. Потапенко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 37, 91 (2002)
  6. Г.А. Сукач, Н.И. Сыпко, В.М. Гладаревский. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 14, 58 (1988)
  7. У. Кайзер, А.Н. Грузинцев, И.И. Ходос, В. Рихтер. Неорг. матер., 6, 458 (2000)
  8. H. Amono, I. Akasaki, T. Kozawa, N. Sawaki, K. Ikeda. J. Luminesc., 4, 121 (1988)
  9. С.В. Свечнiков, П.Ф. Олексенко, Г.О. Сукач, П.С. Смертенко, С.I. Власкiна, О.В. Бушма, А.Б. Богословська. УФЖ, 43, 1290 (1998)
  10. В.Ю. Некрасов, Л.В. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев. ФТП, 33, 1428 (1999)
  11. C.H. Hong, D. Pavidis, S.W. Brown. J. Appl. Phys., 74, 1705 (1995)
  12. G. Grimmeiss, B. Monemar. J. Appl. Phys., 41, 4054 (1970)
  13. R. Dingle, M. Ilegems. Sol. St. Commun., 9, 175 (1971)
  14. O. Langstrem, B. Monemar. J. Appl. Phys., 45, 2266 (1974)
  15. M. Ilegems, R. Dingle. J. Appl. Phys., 44, 4234 (1973)
  16. W. Gotz, N.M. Jonson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler. Appl. Phys. Lett., 68, 2666 (1996)
  17. S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1237 (1992)
  18. S. Fischer, C. Wetzel, W.L. Hansen, E.D. Bourret-Courchesns. Appl. Phys. Lett., 69, 2716 (1996)
  19. P.G. Middleton, K.P. O'Donnell, C. Trager-Cowan, D. Cole, M. Cazzanelli, J. Lunney. Mater. Sci. Eng., B59, 133 (1999)
  20. K.P. O'Donnell, M. Umlauf, M. Kraushaar, H. Kalt, O. Briot. Mater. Sci. Eng., B50, 264 (1997)
  21. G.B. Ren, D.J. Devsnip, D.E. Lacklison, J.W. Orton, T.S. Cheng, C.T. Foxon. Mater. Sci. Eng., B43, 242 (1997)
  22. T.F. Huang, A. Marshall, S. Spruytte, J.S. Harris, Jr. J. Cryst. Growth., 200, 362 (1999)
  23. B.C. Chung, M. Gershenzon. J. Appl. Phys. 72, 651 (1992)
  24. Ф.Ф. Греков, Д.М. Демидов, А.М. Зыков. ЖПХ, 52, 1394 (1979)
  25. С.Е. Александров, Т.А. Гаврикова, А.М. Зыков. ФТП, 34, 297 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.