"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инжекционный ИК лазер (lambda=2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb / InAs / CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Иванов С.В.1, Моисеев К.Д.1, Кайгородов В.А.1, Соловьев В.А.1, Сорокин С.В.1, Мельцер Б.Я.1, Гребенщикова Е.А.1, Седова И.В.1, Терентьев Я.В.1, Семенов А.Н.1, Астахова А.П.1, Михайлова М.П.1, Торопов А.А.1, Яковлев Ю.П.1, Копьев П.С.1, Алфёров Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Впервые продемонстрирована лазерная генерация в среднем ИК диапазоне при инжекционной накачке (длина волны lambda=2.775 мкм, пороговая плотность тока Jth=3-4 кА / см2 при 77 K) двойной гибридной гетероструктуры p-AlGaAsSb / n0-InAs / n-CdMgSe, выращенной методом двухстадийной молекулярно-пучковой эпитаксии и характеризующейся экстремально высокими асимметричными потенциальными барьерами (~ 1.5 эВ) для электронов и дырок в InAs активной области. Выходная мощность спонтанного излучения при 300 K составила не менее 0.3 мВт для светодиодов с круглой мезой.
  1. U.P. Schliessl, J. Rohr. Infr. Phys. Techn. 40, 325 (1999)
  2. D. Hofstetter, M. Beck, T. Aellen, J. Faist, U. Oesterle, M. Ilegems, E. Gini, H. Melchior. Appl. Phys. Lett., 78, 1964 (2001); S. Slivken, Z. Huang, A. Evans, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 80, 4091 (2002)
  3. C. Gmachl, A.M Sergent, A. Tredicucci, F. Capasso, A.L. Hutchinson, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. IEEE Photon. Technol. Lett., 11, 1369 (1999)
  4. W.W. Bewley, H. Lee, I. Vurgaftman, R.J. Menna, C.L. Felix, R.U. Martinelly, D.W. Stokes, D.Z. Garbuzov, J.R. Meyer, M. Maiorov, J.C. Connolly, A.R. Sugg, G.H. Olsen. Appl. Phys. Lett., 76, 256 (2000)
  5. R.Q. Yang, J.L. Bradshaw, J.D. Bruno, J.T. Pham, D.E. Wortman, R.L. Tober. Appl. Phys. Lett., 81, 397 (2002)
  6. G.G Zegrya, M.P. Mikhailova, T.N. Danilova, A.N. Imenkov, K.D. Moiseev, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Semicond., 33, 97 (1999)
  7. S.V. Ivanov, K.D. Moiseev, A.M. Monakhov, I.V. Sedova, V.A. Solov'ev, M.P. Mikhailova, Ya.V. Terentyev, B.Ya Meltzer, A.A. Toropov, Yu.P. Yakovlev, P.S. Kop'ev. Proc. 8th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2000) p. 109
  8. P. Grabs, G. Richter, R. Fiederling, C.R. Becker, W. Ossau, G. Schmidt, L.W. Molenkamp, W. Weigand, E. Umbach, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Appl. Phys. Lett., 80, 3766 (2002)
  9. А.Г. Аронов, Г.Е. Пикус. ФТП, 10, 1177 (1976)
  10. R. Fiederling, M. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, A. Waag, L.W. Molenkamp. Nature (London), 402, 787 (1999)
  11. N. Samarth, H. Luo, J.K. Furdyna, S.B. Qadri, Y.R. Lee, A.K. Ramdas, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 54, 2680 (1989)
  12. В.А. Соловьев, И.В. Седова, А.А. Торопов, Я.В. Терентьев, С.В. Сорокин, Б.Я. Мельцер, С.В. Иванов, П.С. Копьев. ФТП, 35 (4), 431 (2001).
  13. S.V. Ivanov, V.A. Solov'ev, K.D. Moiseev, I.V. Sedova, Ya.V. Terentyev, A.A. Toropov, B.Ya. Meltzer, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 78 (12), 1655 (2001)
  14. S. Ivanov, S. Sorokin, K. Moiseev, V Solov'ev, V. Kaygorodov, Ya. Terent'ev, B. Meltzer, A. Semenov, M. Mikhailova, Yu. Yakovlev, P. Kop'ev. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 692, H8.8.1-6 (2002)
  15. V.A. Kaygorodov, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, O.V. Nekrutkina, T.V. Shubina, A.A. Toropov, S.V. Ivanov. Phys. St. Sol. (b), 229, 19 (2002)
  16. Yu.P. Yakovlev, S.V. Ivanov, K.D. Moiseev, A.M. Monakhov, V.A. Solov'ev, I.V. Sedova, Ya.V. Terent'ev, A.A. Toropov, M.P. Mikhailova, B.Ya. Meltzer, P.S. Kop'ev. Proc. SPIE, 4651, 203 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.