"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффективный кремниевый светодиод с температурно-стабильными спектральными характеристиками
Емельянов А.М.1, Соболев Н.А.1, Мельникова Т.М.2, Pizzini S.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2АО "НПО Орион", Москва, Россия
3INFM and Department of Materials Science, Milan, Italy
Поступила в редакцию: 25 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Описывается влияние температуры на параметры зона-зонного спектра излучения изготовленного из монокристаллического кремния светодиода, в котором наблюдается самая высокая из известных температурная стабильность как интенсивности электролюминесценции в максимуме распределения по длинам волн (ImEL), так и длины волны, соответствующей этому максимуму (lambdam). Внутренняя квантовая эффективность светодиода при комнатной температуре оценивается величиной не менее 0.1%. Величина ImEL изменяется не более чем на ~ 10% при изменении температуры от 120 до 300 K. lambdam практически не изменяется в диапазоне температур 200-300 K. Рекордная стабильность lambdam связывается с интерференционными эффектами в окисной пленке, через которую выводится излучение светодиода. Показано, что одной из важных причин, определяющих стабильность ImEL, является уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда с уменьшением температуры.
  1. M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
  2. Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
  3. Th. Dittrich, V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, L. Tsybeskov. J. Appl. Phys., 90, 2310 (2001)
  4. W. Michaelis, M.H. Pilkuhn. Phys. St. Sol., 36, 311 (1969)
  5. T.-C. Ong, K.W. Terrill, S. Tam, C. Hu. IEEE El. Dev. Lett., EDL-4, 460 (1983)
  6. А.М. Емельянов, А.Н. Якименко. Матер. 7 Межнац. совещ. "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 1997) с. 56
  7. V.Yu. Timoshenko, J. Rappich, Th. Dittrich. Appl. Surf. Sci., 123/124, 111 (1998)
  8. R.D. Altukhov, E.G. Kuzminov. Sol. St. Commun., 111, 379 (1999)
  9. А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 36, 454 (2002)
  10. C.W. Liu, M.H. Lee, Miin-Jang Chen, I.C. Lin, Ching-Fuh Lin. Appl. Phys. Lett., 76, 1516 (2000)
  11. W. van Roosbroeck, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
  12. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982) с. 302, 402
  13. А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979) гл. 3, с. 103, 551, 577
  14. Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968) гл. 1, с. 16--19; гл. 2, c. 61, 62; гл. 5, с. 183--187
  15. B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  16. И.М. Викулин, В.И. Стафеев. Физика полупроводниковых приборов (М., Сов. радио, 1980) гл. 1, с. 50
  17. N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
  18. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 34, 1069 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.