Вышедшие номера
Сверхизлучение в квантовых гетероструктурах
Климовская А.И.1, Дрига Ю.А.1, Гуле Е.Г.1, Пикарук О.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 25 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

В квантовых гетероструктурах GaAs / InxGa1-xAs / GaAs исследованы изменение формы спектра и зависимости интенсивности и времени релаксации сверхизлучения от плотности мощности возбуждения в диапазоне 1· 10-3-9·106 Вт / см2. Впервые показано влияние заполнения квантовой ямы на все параметры спектра сверхизлучения.