Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Водородно-индуцированное скалывание в кремнии по заглубленному слою, сильно легированному бором

Киланов Д.В.¹, Попов В.П.¹, Сафронов Л.Н.¹, Никифоров А.И.¹, Шольц Р.²

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Институт физики микроструктур общества Макса Планка, Халле, Германия

Поступила в редакцию: 11 ноября 2002 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы процессы образования пассивированных водородом поверхностей внутри имплантированного водородом монокристаллического кремния, содержащего заглубленный, легированный бором слой. Методом адсорбционной инфракрасной спектроскопии показано, что состав водородосодержащих дефектов в кремнии, содержащем заглубленный, сильно легированный бором слой, и не содержащем такого слоя, одинаков при отжиге. Процессы блистеринга и отслаивания тонкой пленки ускоряются в присутствии сильно легированного слоя. Изменяются энергии активации соответствующих процессов. Таким образом, изменяется процесс развития полостей в таких слоях при термическом отжиге. Образование пассивированных водородом поверхностей происходит на глубине, соответствующей глубине проективного пробега ионов водорода, что также соответствует глубине залегания легированного бором слоя. При переносе тонкой пленки "кремний-на-изоляторе" наблюдалось уменьшение шероховатости ее поверхности в 2-5 раз.

В.П. Попов, А.И. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Сафронов, Г.Н. Феофанов, О.В. Наумова, Д.В. Киланов. ФТП. 35 (9), 1078 (2001)
Q.-T. Tong, R. Sholz, U. Gosele, T.-H. Lee, L.-J. Huang, Y.-L. Chao, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 72, 49 (1998)
G. Kissinger, W. Kissinger. Phys. St. Sol. (a), 123, 185 (1991)
M.K. Weldon, V.E. Marsico, Y.J. Chabal, A. Agarwal, D.J. Eaglasmen, J. Sapjeta, W.L. Brown, D.C. Jacobson, S.B. Chrisman, E.E. Chaban. J. Vac. Sci. Technol. B, 15 (4), 1065 (1997)
L.S. Sidhu, T. Kosteski, S. Zukotynski. J. Appl. Phys., 85, 2574 (1999)
V.P. Popov, V.F. Stas, I.V. Antonova. MRS Proc., 540, 499 (1999)
A. Agarwal, T.E. Haynes, V.C. Venezia, O.W. Holland. Appl. Phys. Lett., 72 (9), 1086 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель