"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование квантовых точек GaN при повышении температуры в потоке аммиака
Майдэбура Я.Е. 1, Малин Т.В. 1, Журавлев К.С. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: hnxyr5@gmail.com, mal-tv@mail.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

Методом дифракции быстрых электронов на отражение выполнено экспериментальное исследование преобразования двумерного слоя GaN в трехмерные островки (2D-3D переход) при повышении температуры в потоке аммиака. Полученные результаты были объяснены в рамках разработанной ранее кинетической модели и модели равновесия Mariette. Показано, что с повышением температуры за счет процессов десорбции частиц NH2 поверхностная энергия увеличивается, 3D состояние поверхности становится энергетически выгодным, и происходит формирование 3D островков. При дальнейшем повышении температуры за счет процессов диссоциации частиц NH2 и NH поверхностная энергия уменьшается и 2D состояние поверхности снова становится энергетически выгодным, в результате чего 3D островки преобразовываются обратно в 2D слой. Ключевые слова: квантовые точки GaN, поверхностные процессы, ДБЭО, МЛЭ.
  1. O. Ambacher. J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 2653 (1998)
  2. S. N. Mohammad, H. Morko c. Progr. Quant. Electron., 20, 361 (1996)
  3. B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery, J.L. Rouviere. Phys. Rev. B, 56, R7069 (1997)
  4. M. Miyamura, K. Tachibana, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 80, 3937 (2002)
  5. Y.E. Maidebura, T.V. Malin, K.S. Zhuravlev. Appl. Phys. Lett., 120, 053101 (2022)
  6. B. Damilano, J. Brault, J. Massies. J. Appl. Phys., 118, 024304 (2015)
  7. Y.E. Maidebura, V.G. Mansurov, T.V. Malin, K.S. Zhuravlev. Appl. Surf. Sci., 577, 151802 (2022)
  8. W. Walkosz, P. Zapol, G.B. Stephenson. Phys. Rev. B, 85, 033308 (2012)
  9. C.G. Van de Walle, J. Neugebauer. Phys. Rev. Lett., 88, 066103 (2002)
  10. S. Krukowski, P. Kempisty, P. Str ak. Cryst. Res. Technol., 44, 1038 (2009)
  11. L.C. Grabow, J.J. Uhlrich, T.F. Kuech, M. Mavrikakis. Sur. Sci., 603, 387 (2009)
  12. Y.S. Won, J. Lee, C.S. Kim, S.S. Park. Surf. Sci., 603, L31 (2009)
  13. Y.E. Maidebura, V.G. Mansurov, T.V. Malin, D.S. Milakhin, K.S. Zhuravlev. In: IEEE 22nd Int. Conf. Young Professionals in Electron Devices and Materials, 83 (2021)
  14. T.V. Malin, V.G. Mansurov, A.M. Gilinskii, D.Y. Protasov, A.S. Kozhukhov, A.P. Vasilenko, K.S. Zhuravlev. Optoelectron. Instrum. Data Process., 49, 429 (2013)
  15. S. Tamariz, G. Callsen, N. Grandjean. Appl. Phys. Lett., 114, 082101 (2019)
  16. H. Mariette. Comptes Rendus Physique, 6, 23 (2005)
  17. B.J. Skromme, H. Zhao, D. Wang, H.S. Kong, M.T. Leonard, G.E. Bulman, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 71, 829 (1997)
  18. J. Zhang, Y. Zhang, K. Tse, B. Deng, H. Xu, J. Zhu. J. Appl. Phys., 119, 205302 (2016)
  19. C. Roder, S. Einfeldt, S. Figge, D. Hommel. Phys. Rev. B, 72, 085218 (2005)
  20. S. Figge, H. Kroncke, D. Hommel, B.M. Epelbaum. Appl. Phys. Lett., 94, 101915 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.