"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100)
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-03-00523
Санкт-Петербургский государственный университет, 93021679
Лебедев М.В. 1, Львова Т.В. 1, Смирнов А.Н. 1, Давыдов В.Ю. 1, Королева А.В. 2, Жижин Е.В. 2, Лебедев С.В. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: mleb@triat.ioffe.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru, valery.davydov@mail.ioffe.ru, evgeniy.zhizhin@spbu.ru, s.v.lebedev@spbu.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

Электронная и атомная структуры обработанных различными сульфидными растворами поверхностей n-InP(100) исследовались с помощью методов фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что сульфидная обработка приводит к удалению слоя естественного окисла с поверхности полупроводника и формированию на ней пассивирующего покрытия, состоящего из химических связей In-S, структура которых зависит от состава раствора и исходной атомной структуры поверхности полупроводника. Одновременно происходит возрастание интенсивности фотолюминесценции и сужение приповерхностной обедненной области. Атомная структура пассивирующего покрытия определяет суммарный дипольный момент, который в свою очередь модифицирует пространственное распределение потенциалов зон и, как следствие, электронную структуру поверхности. Ключевые слова: модификация поверхности, сульфидная пассивация, спектроскопии комбинационного рассеяния света, фотолюминесценция, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.
  1. J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
  2. M. Smit, K. Williams, J. van der Tol. APL Photonics, 4, 050901 (2019)
  3. A.G. Munoz, C. Heine, M. Lublow, H.W. Klemm, N. Szabo, T. Hannappel, H.-J. Lewerenz. ECS J. Solid State Sci. Technol., 2, Q51 (2013)
  4. Q. Lin, D. Sarkar, Y. Lin, M. Yeung, L. Blankemeier, J. Hazra, W. Wang, S. Niu, J. Ravichandran, Z. Fan, R. Kapadia. ACS Nano, 11, 5113 (2017)
  5. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, C.M. Lieber. Nature, 409, 66 (2001)
  6. F. Zafar, A. Iqbal. Proc. Royal Soc. A, 472, 20150804 (2016)
  7. Z. Li, I. Yang, L. Li, Q. Gao, J. S. Chong, Z. Li, M.N. Lockrey, H.H. Tan, C. Jagadish, L.Fu. Progr. Nat. Sci. Mater., 28, 178 (2018)
  8. Z. Wu, P. Liu, W. Zhang, K. Wang, X.W. Sun. ACS Energy Lett., 5, 1095 (2020)
  9. P.R. Narangan, J.D. Butson, H.H. Tan, C. Jagadish, S. Karuturi. Nano Lett., 21, 6967(2021)
  10. N. Tajik, C.M. Haapamaki, R.R. LaPierre. Nanotechnology, 23, 315703 (2012)
  11. C.-F. Yen, M.-K. Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 30, 052201 (2012)
  12. H.-K. Kang, Y.-S. Kang, M. Baik, K.-S. Jeong, D.-K. Kim, J.-D. Song, M.-H. Cho. J. Phys. Chem. C, 122, 7226 (2018)
  13. D.H. van Dorp, L. Nyns, D. Cuypers, T. Ivanov, S. Brizzi, M. Tallarida, C. Fleischmann, P. Honicke, M. Muller, O. Richard, D. Schmeib er, S. De Gendt, D.H.C. Lin, C. Adelmann. ACS Appl. Electron. Mater., 1, 2190 (2019)
  14. M.V. Lebedev. Semiconductors, 54, 699 (2020)
  15. S. Tian, Z. Wei, Y. Li, H. Zhao, X. Fang, J. Tang, D. Fang, L. Sun, G. Liu, B. Yao, X. Ma. Mater. Sci. Semicond. Process., 17, 33 (2014)
  16. M.V. Lebedev, Yu.M. Serov, T.V. Lvova, R. Endo, T. Masuda, I.V. Sedova. Appl. Surf. Sci., 533, 147484 (2020)
  17. M.V. Lebedev, Yu.M. Serov, T.V. Lvova, I.V. Sedova, R. Endo, T. Masuda. Semiconductors, 54, 1843 (2020)
  18. M.V. Lebedev, T.V. Lvova, A.N. Smirnov, V.Yu. Davydov, A.V. Koroleva, E.V. Zhizhin, S.V. Lebedev. J. Mater. Chem. C, 10, 2163 (2022)
  19. R.M. Sieg, S.A. Ringel. J. Appl. Phys., 80, 448 (1996)
  20. L. Pavesi, F. Piazza, A. Rudra, J.F. Carlin, M. Ilegems. Phys. Rev. B, 44, 9052 (1991)
  21. L. Artus, R. Cusco, J. Ibanez, N. Blanco, G. Gonzalez-Di az. Phys. Rev. B, 60, 5456 (1999)
  22. B.B. Boudart, B. Prevot, C. Schwab. Appl. Surf. Sci., 50, 295 (1991)
  23. V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, D.R.T. Zahn. J. Appl. Phys., 82, 2640 (1997)
  24. J.R. Waldrop, E.A. Kraut, C.W. Farley, R. W. Grant. J. Appl. Phys., 69, 372 (1991)
  25. Y. Ishikawa, T. Fukui, H. Hasegawa. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1163 (1997)
  26. A.B. Preobrajenski, S. Schomann, R.K. Gebhardt, T. Chasse. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1973 (2000)
  27. A. Pinczuk, A. A. Ballman, R. E. Nahory, M. A. Pollack, J.M. Worlock. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1168 (1979)
  28. O.L. Warren, G.W. Anderson, M.C. Hanf, K. Griffiths, P.R. Norton. Phys. Rev. B, 52, 2959 (1995)
  29. A.C. Ferraz, G.P. Srivastava. Appl. Surf. Sci., 142, 23 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.