"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, 0030-2021-0023
Востоков Н.В.1, Дроздов М.Н.1, Краев С.А.1, Хрыкин О.И.1, Юнин П.А.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: vostokov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

Изучено влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN с приповерхностным поляризационно-индуцированным delta-легированием. Показано, что отжиг дает дополнительные возможности для управления эффективной высотой барьера диодов, улучшения и тонкой настройки их транспортных характеристик. Термический отжиг может использоваться при изготовлении низкобарьерных диодов, предназначенных для работы при высоких температурах. Ключевые слова: низкобарьерный диод, GaN, транспортные свойства, термический отжиг.
  1. F. Sizov. Semicond. Sci. Technol., 33 (12), 123001 (2018)
  2. L.-G. Tran, H.-K. Cha, W.-T. Park. Micro and Nano Syst. Lett., 5, 14 (2017)
  3. E.R. Brown. Solid-State Electron., 48 (10-11), 2051 (2004)
  4. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП, 36 (5), 537 (2002)
  5. V.I. Shashkin, Y.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Y.I. Chechenin. Int. J. Infr. Millim. Waves, 8 (11), 945 (2007)
  6. П.В. Волков, Н.В. Востоков, А.В. Горюнов, Л.М. Кукин, В.В. Паршин, Е.А. Серов, В.И. Шашкин. Письма в ЖТФ, 45 (5), 56 (2019)
  7. В.Р. Закамов, В.И. Шашкин. Радиотехника и электроника, 56 (8), 1009 (2011)
  8. S.A. Korolyov, A.P. Shikov, A.V. Goryunov, V.I. Shashkin. IEEE Sens. Lett., 4 (5), 3500404 (2020)
  9. C.H.P. Lorenz, S. Hemour, K. Wu. EEE Trans. Microw. Theory Techn., 64 (7), 2146 (2016)
  10. B. Kapilevich, V. Shashkin, B. Litvak, G. Yemini, A. Etinger, D. Hardon, Y. Pinhasi. IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett., 26 (8), 637 (2016)
  11. Polarization Effects in Semiconductors: From Ab Initio Theory to Device Applications, ed. by C. Wood and D. Jena (N.Y., Springer, 2008)
  12. N.V. Vostokov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, P.A. Yunin, V.I. Shashkin. Appl. Phys. Lett., 116 (1), 013505 (2020)
  13. О.И. Хрыкин, А.В. Бутин, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. ФТП, 39 (1), 21 (2005)
  14. P.A. Yunin, Yu.N. Drozdov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin Surf. Interface Anal., 49 (2), 117 (2017)
  15. M.T. Hirsch, K.J. Duxstad, E.E. Haller. Electron. Lett., 33 (1), 95 (1997)
  16. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Jimbo. IEEE Trans. Electron Dev., 48 (3), 573 (2001)
  17. Q.Z. Liu, S.S. Lau. Solid-State Electron., 42 (5), 677 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.