Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, 0030-2021-0023
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Email: vostokov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.
Изучено влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN с приповерхностным поляризационно-индуцированным delta-легированием. Показано, что отжиг дает дополнительные возможности для управления эффективной высотой барьера диодов, улучшения и тонкой настройки их транспортных характеристик. Термический отжиг может использоваться при изготовлении низкобарьерных диодов, предназначенных для работы при высоких температурах. Ключевые слова: низкобарьерный диод, GaN, транспортные свойства, термический отжиг.
- F. Sizov. Semicond. Sci. Technol., 33 (12), 123001 (2018)
- L.-G. Tran, H.-K. Cha, W.-T. Park. Micro and Nano Syst. Lett., 5, 14 (2017)
- E.R. Brown. Solid-State Electron., 48 (10-11), 2051 (2004)
- В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП, 36 (5), 537 (2002)
- V.I. Shashkin, Y.A. Drjagin, V.R. Zakamov, S.V. Krivov, L.M. Kukin, A.V. Murel, Y.I. Chechenin. Int. J. Infr. Millim. Waves, 8 (11), 945 (2007)
- П.В. Волков, Н.В. Востоков, А.В. Горюнов, Л.М. Кукин, В.В. Паршин, Е.А. Серов, В.И. Шашкин. Письма в ЖТФ, 45 (5), 56 (2019)
- В.Р. Закамов, В.И. Шашкин. Радиотехника и электроника, 56 (8), 1009 (2011)
- S.A. Korolyov, A.P. Shikov, A.V. Goryunov, V.I. Shashkin. IEEE Sens. Lett., 4 (5), 3500404 (2020)
- C.H.P. Lorenz, S. Hemour, K. Wu. EEE Trans. Microw. Theory Techn., 64 (7), 2146 (2016)
- B. Kapilevich, V. Shashkin, B. Litvak, G. Yemini, A. Etinger, D. Hardon, Y. Pinhasi. IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett., 26 (8), 637 (2016)
- Polarization Effects in Semiconductors: From Ab Initio Theory to Device Applications, ed. by C. Wood and D. Jena (N.Y., Springer, 2008)
- N.V. Vostokov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, P.A. Yunin, V.I. Shashkin. Appl. Phys. Lett., 116 (1), 013505 (2020)
- О.И. Хрыкин, А.В. Бутин, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, В.И. Шашкин. ФТП, 39 (1), 21 (2005)
- P.A. Yunin, Yu.N. Drozdov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin Surf. Interface Anal., 49 (2), 117 (2017)
- M.T. Hirsch, K.J. Duxstad, E.E. Haller. Electron. Lett., 33 (1), 95 (1997)
- S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Jimbo. IEEE Trans. Electron Dev., 48 (3), 573 (2001)
- Q.Z. Liu, S.S. Lau. Solid-State Electron., 42 (5), 677 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
