Влияние низкой температуры на электрофизические и шумовые характеристики ультрафиолетовых светодиодов на основе структур с квантовыми ямами InGaN/GaN
Иванов А.М.
1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2022 г.
В окончательной редакции: 24 марта 2022 г.
Принята к печати: 24 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.
Проведено сравнение оптической мощности, внешней квантовой эффективности в InGaN/GaN ультрафиолетовых светодиодах при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Исследованы спектральные плотности токового низкочастотного шума. Рассмотрены механизмы транспорта носителей, формирования низкочастотного шума, зависимости скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации при комнатной и азотной температурах. Ключевые слова: внешняя квантовая эффективность, низкочастотный шум, транспорт носителей, туннелирование по дефектам.
- Z. Peng, W. Guo, T. Wu, Z. Guo, Y. Lu, Y. Zheng, Y. Lin, Z. Chen. IEEE Photonics J., 12 (1), 8200108 (2020)
- P. Tian, J.J.D. McKendry, J. Herrnsdorf, S. Watson, R. Ferreira, I.M. Watson, E. Gu, A.E. Kelly, M.D. Dawson. Appl. Phys. Lett., 105, 171107 (2014)
- D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni. IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 16 (2), 213 (2016)
- S. Marcinkevicius, R. Yapparov, L.Y. Kuritzky, Y-R. Wu, S. Nakamura, J.S. Speck. Phys. Rev. B, 101, 075305 (2020)
- D.S. Arteev, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. J. Luminesc., 234, 117957 (2021)
- В.В. Емцев, Е.В. Гущина, В.Н. Петров, Н.А. Тальнишних, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт, А.С. Усиков, А.П. Карташова, А.А. Зыбин, В.В. Козловский, М.Ф. Кудояров, А.В. Сахаров, Г.А. Оганесян, Д.С. Полоскин, В.В. Лундин. ФТП, 52 (7), 804 (2018)
- B. vSaulys, J. Matukas, V. Palenskis, S. Pralgauskaite, G. Kulikauskas. Acta Phys. Polon. A, 119 (4), 514 (2011)
- Н.И. Бочкарева, А.М. Иванов, А.В. Клочков, Ю.Г. Шретер. ФТП, 53 (1), 104 (2019)
- Ф. Шуберт. Светодиоды (M., Физматлит, 2008) с. 77
- Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, А.С. Зубрилов, Ю.С. Леликов, Ф.Е. Латышев, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 44 (6), 822 (2010)
- Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 47 (1), 129 (2013)
- А.С. Павлюченко, И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм. ФТП, 43 (10), 1391 (2009)
- S.Yu. Karpov. Optical Quant. Electron., 47 (6), 1293 (2015)
- Q. Lv, J. Gao, X. Tao, J. Zhang, C. Mo, X. Wang, C. Zheng, J. Liu. J. Luminesc., 222, 117186 (2020)
- N. Renso, C. De Santi, A. Caria, F. Dalla Torre, L. Zecchin, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. J. Appl. Phys., 127, 185701 (2020)
- A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, N.A. Talnishnikh, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt. J. Cryst. Growth, 401, 302 (2014)
- Г.П. Жигальский. УФН, 173 (5), 465 (2003)
- I.N. Yassievich. Semicond. Sci. Technol., 9, 1433 (1994)
- I-H. Lee, A.Y. Polyakov, S-M. Hwang, N.M. Shmidt, E.I. Shabunina, N.A. Tal'nishnih, N.B. Smirnov, I.V. Shchemerov, R.A. Zinovyev, S.A. Tarelkin, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 111, 062103 (2017)
- M. Auf der Maur, B. Galler, I. Pietzonka, M. Strassburg, H. Lugauer, A. Di Carlo. Appl. Phys. Lett., 105, 133504 (2014)
- R.J. Molnar, T. Lei, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 62 (1), 72 (1993)
- Н.И. Бочкарева, Ю.Г. Шретер. ФТТ, 64 (3), 371 (2022)
- D. Han, K. Wang, C. Yeh, L. Yang, X. Deng, B. Von Roedern. Phys. Rev. B, 55 (23), 15619 (1997)
- Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 25 (12), 2065 (1991)
- Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49 (12), 1714 (2015)
- N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, Y.G. Shreter. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012203 (2020)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
