"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние низкой температуры на электрофизические и шумовые характеристики ультрафиолетовых светодиодов на основе структур с квантовыми ямами InGaN/GaN
Иванов А.М. 1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2022 г.
В окончательной редакции: 24 марта 2022 г.
Принята к печати: 24 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.

Проведено сравнение оптической мощности, внешней квантовой эффективности в InGaN/GaN ультрафиолетовых светодиодах при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Исследованы спектральные плотности токового низкочастотного шума. Рассмотрены механизмы транспорта носителей, формирования низкочастотного шума, зависимости скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации при комнатной и азотной температурах. Ключевые слова: внешняя квантовая эффективность, низкочастотный шум, транспорт носителей, туннелирование по дефектам.
  1. Z. Peng, W. Guo, T. Wu, Z. Guo, Y. Lu, Y. Zheng, Y. Lin, Z. Chen. IEEE Photonics J., 12 (1), 8200108 (2020)
  2. P. Tian, J.J.D. McKendry, J. Herrnsdorf, S. Watson, R. Ferreira, I.M. Watson, E. Gu, A.E. Kelly, M.D. Dawson. Appl. Phys. Lett., 105, 171107 (2014)
  3. D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni. IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 16 (2), 213 (2016)
  4. S. Marcinkevicius, R. Yapparov, L.Y. Kuritzky, Y-R. Wu, S. Nakamura, J.S. Speck. Phys. Rev. B, 101, 075305 (2020)
  5. D.S. Arteev, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. J. Luminesc., 234, 117957 (2021)
  6. В.В. Емцев, Е.В. Гущина, В.Н. Петров, Н.А. Тальнишних, А.Е. Черняков, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт, А.С. Усиков, А.П. Карташова, А.А. Зыбин, В.В. Козловский, М.Ф. Кудояров, А.В. Сахаров, Г.А. Оганесян, Д.С. Полоскин, В.В. Лундин. ФТП, 52 (7), 804 (2018)
  7. B. vSaulys, J. Matukas, V. Palenskis, S. Pralgauskaite, G. Kulikauskas. Acta Phys. Polon. A, 119 (4), 514 (2011)
  8. Н.И. Бочкарева, А.М. Иванов, А.В. Клочков, Ю.Г. Шретер. ФТП, 53 (1), 104 (2019)
  9. Ф. Шуберт. Светодиоды (M., Физматлит, 2008) с. 77
  10. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, А.С. Зубрилов, Ю.С. Леликов, Ф.Е. Латышев, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 44 (6), 822 (2010)
  11. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 47 (1), 129 (2013)
  12. А.С. Павлюченко, И.В. Рожанский, Д.А. Закгейм. ФТП, 43 (10), 1391 (2009)
  13. S.Yu. Karpov. Optical Quant. Electron., 47 (6), 1293 (2015)
  14. Q. Lv, J. Gao, X. Tao, J. Zhang, C. Mo, X. Wang, C. Zheng, J. Liu. J. Luminesc., 222, 117186 (2020)
  15. N. Renso, C. De Santi, A. Caria, F. Dalla Torre, L. Zecchin, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. J. Appl. Phys., 127, 185701 (2020)
  16. A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, N.A. Talnishnikh, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt. J. Cryst. Growth, 401, 302 (2014)
  17. Г.П. Жигальский. УФН, 173 (5), 465 (2003)
  18. I.N. Yassievich. Semicond. Sci. Technol., 9, 1433 (1994)
  19. I-H. Lee, A.Y. Polyakov, S-M. Hwang, N.M. Shmidt, E.I. Shabunina, N.A. Tal'nishnih, N.B. Smirnov, I.V. Shchemerov, R.A. Zinovyev, S.A. Tarelkin, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 111, 062103 (2017)
  20. M. Auf der Maur, B. Galler, I. Pietzonka, M. Strassburg, H. Lugauer, A. Di Carlo. Appl. Phys. Lett., 105, 133504 (2014)
  21. R.J. Molnar, T. Lei, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., 62 (1), 72 (1993)
  22. Н.И. Бочкарева, Ю.Г. Шретер. ФТТ, 64 (3), 371 (2022)
  23. D. Han, K. Wang, C. Yeh, L. Yang, X. Deng, B. Von Roedern. Phys. Rev. B, 55 (23), 15619 (1997)
  24. Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 25 (12), 2065 (1991)
  25. Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 49 (12), 1714 (2015)
  26. N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, Y.G. Shreter. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012203 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.