Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние морфологии на фононную теплопроводность нанопроволок Si, Ge и Si/Ge типа ядро/оболочка

DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52593.9780

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.06.53543.9780

Министерство образования Республики Беларусь, Материаловедение, новые материалы и технологии, 2.14

Министерство образования и науки Российской Федерации, Приоритет-2030 НИЯУ МИФИ

Холяво И.И.¹, Хомец А.Л.¹, Сафронов И.В.², Филонов А.Б.¹, Мигас Д.Б. ^1,3

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

²Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

³Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

Email: kholyavo.ivan@gmail.com, infuze193@gmail.com, fiz.safronov@mail.ru, filonovab1@mail.ru, migas@bsuir.by

Поступила в редакцию: 1 декабря 2021 г.

В окончательной редакции: 2 марта 2022 г.

Принята к печати: 21 марта 2022 г.

Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Для термоэлектрических применений полупроводниковых нанопроволок дополнительным фактором понижения их теплопроводности является изменение морфологии. В данной работе для нанопроволок Si, Ge, а также Si/Ge типа ядро/оболочка методом неравновесной молекулярной динамики исследовано влияние объемной доли и типа материала ядра на теплопроводность при 300 K. Принимались во внимание нанопроволоки с экспериментально наблюдаемыми <100>, <110>, <111> и <112> ориентациями и различными сечениями. Обнаружено, что для <112>-ориентированных нанопроволок Si-ядро/Ge-оболочка при объемной доле ядра ~30% теплопроводность является наименьшей (5.76 Вт/(м · K)), в то время как значения теплопроводности для нанопроволок из чистого Si и Ge составляют 13.8 и 8.21 Вт/(м · K) соответственно. Ключевые слова: нанопроволока, структура ядро/оболочка, морфология, кремний, германий, теплопроводность, молекулярная динамика.

F. Dominguez-Adame. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructures, 113, 213 (2019)
А.Ф. Иоффе. Полупроводниковые термоэлементы (М.; Л., Изд. АН СССР, 1956) c. 103
N.I. Goktas, P. Wilson, A. Ghukasyan, D. Wagner. Appl. Phys. Rev., 5 (4), 041305 (2018)
L. Yang, Z.-G. Chen, M.S. Dargusch, J. Zou. Adv. Energy Mater., 8 (6), 1701797 (2018)
W.S. Capinski, H.J. Maris, E. Bauser, I. Silier, M. Asen-Palmer, T. Ruf, M. Cardona, E. Gmelin. Appl. Phys. Lett., 71 (15), 2109 (1997)
C.J. Glassbrenner, G.A. Slack. Phys. Rev., 134, A1058 (1964)
M. Hu, D. Poulikakos. Nano Lett., 12, 5487 (2012)
X. Mu, L. Wang, X. Yang, P. Zhang, A.C. To, T. Luo. Sci. Rep., 5, 16697 (2015)
J. Samaraweera, J.M. Larkin, K.L. Chan, K. Mithraratne. J. Appl. Phys., 123, 244303 (2018)
X. Chen, Z. Wang, Y. Ma. J. Phys. Chem. C, 115, 20696 (2011)
M. Shelley, A.A. Mostofi. Europhys. Lett., 94, 67001 (2011)
H. Karamitaheri, N. Neophytou, M.K. Taher, R. Faez, H. Kosina. J. Electron. Mater., 42 (7), 2091 (2013)
Y. Zhou, Y. Chen, M. Hu. Sci. Rep., 6, 24903 (2016)
S. Sarikurt, A. Ozden, A. Kandemir, C. Sevik, A. Kinaci, J.B. Haskins, T. Cagin. J. Appl. Phys., 119, 155101 (2016)
O. Hayden, R. Agarwal, W. Lu. Nano Today, 3 (5), 12 (2008)
A. Ozden, A. Kandemir, F. Ay, N.K. Perkgoz, C. Sevik. J. Electron. Mater., 45, 1594 (2016)
M. Hu, K.P. Giapis, J.V. Goicochea, X. Zhang, D. Poulikakos. Nano Lett., 11 (2), 618 (2011)
J. Chen, G. Zhang, B. Li. Nano Lett., 12 (6), 2826 (2012)
Y. Gao, Y. Zhou, M. Hu. J. Mater. Chem. A, 6, 18533 (2018)
F. Sansoz. Phys. Rev. B, 93, 195431 (2016)
A. Porter, C. Tran, F. Sansoz. Phys. Rev. B, 93, 195431 (2016)
T. Markussen. Nano Lett., 12 (9), 4698 (2012)
J.-N. Shen, L.-M. Wu, Y.-F. Zhang. J. Mater. Chem. A, 2, 2538 (2014)
P. Heino. Eur. Phys. J. B, 60 (2), 171 (2007)
Z. Aksamija, I. Knezevic. Phys. Rev. B, 82 (4), 045319 (2010)
H. Karamitaheri, N. Neophytou, H. Kosina. J. Appl. Phys., 113 (20), 204305 (2013)
D.B. Migas, V.E. Borisenko. J. Appl. Phys., 105, 104316 (2009)
D.B. Migas, V.E. Borisenko, Rusli, C. Soci. Nano Converg., 2, 16 (2015)
S. Plimpton. J. Comp. Phys., 117, 1 (1995)
J. Tersoff. Phys. Rev. B, 39 (8), 5566 (1989)
Y. He, I. Savic, D. Donadio, G. Galli. Phys. Chem. Chem. Phys., 14, 16209 (2012)
Y.S. Ju, K.E. Goodson. Appl. Phys. Lett., 74 (20), 3005 (1999)
А.Л. Хомец, И.И. Холяво, И.В. Сафронов, А.Б. Филонов, Д.Б. Мигас. ФТТ, 64 (5), 564 (2022)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель