Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Эффективность возбуждения центров дислокационной люминесценции в кремнии с кислородными преципитатами
Соболев Н.А.1, Калядин А.Е.1, Штельмах К.Ф.1, Шек Е.И.1, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.

Исследовано влияние мощности накачки на интенсивность фотолюминесценции центров дислокационной люминесценции в кремнии p-типа проводимости, содержащем кислородные преципитаты. Кислородные преципитаты формировались в результате трехступенчатого отжига, используемого для создания геттера быстро диффундирующих примесей в технологии микроэлектроники, а центры дислокационной люминесценции D1 и D2 создавались в процессе последующего отжига при 1000oC в потоке аргона. Измерены эффективности возбуждения фотолюминесценции D1 и D2 линий при температуре жидкого гелия. Ключевые слова: дислокационная люминесценция, кремний, кислородные преципитаты, эффективность возбуждения фотолюминесценции.
  1. Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
  2. V. Kveder, V. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Zeibt, W. Schreter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
  3. E.O. Sveinbjornsson, J. Weber. Appl. Phys. Lett., 69, 2686 (1996)
  4. M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O.F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob, A. Wolff, W. Fritzsche. Small, 3, 964 (2007)
  5. Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, В.В. Забродский, Н.В. Забродская, В.Л. Суханов, Е.И. Шек. ФТП, 41, 635 (2007)
  6. Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 50 (2), 241 (2016)
  7. Н.А. Соболев. ФТП, 44 (1), 3 (2010)
  8. S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)
  9. K. Bothe, R.J. Falster, J.D. Murphy. Appl. Phys. Lett., 101, 032107 (2012)
  10. S. Binetti, R. Somaschini, A. Le Donne, E. Leoni, S. Pizzini, D. Li, D. Yang. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13247 (2002)
  11. В.И. Вдовин, Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, А.Е. Калядин, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, Н.А. Соболев. Кристаллография, 66 (4), 597 (2021)
  12. G. Davies. Phys. Reports, 176, 83 (1989)
  13. Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, К.Ф. Штельмах, Е.И. Шек. ФТП, 55 (10), 928 (2021)
  14. N.A. Sobolev. Intrinsic point defect engineering in silicon high-voltage power device technology. Chap. 5 in Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, ed. by M. Levinshtein, M. Shur (Wiley-Interscience, N. Y., USA, 1997) p. 131
  15. N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel'yanov. Appl. Phys. Lett., 72, 3326 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.