"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением
Тысченко И.Е.1, Талочкин А.Б.1, Черков А.Г.1, Журавлев К.С.1, Мисюк А.2, Фельсков М.3, Скорупа В.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт электронной технологии, 02-668 Варшава, Польша
3Институт ионно-лучевой физики и материаловедения, Исследовательский центр Росседорф, Д- Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 22 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Изучено влияние гидростатического сжатия на процессы ионного синтеза нанокристаллов германия в SiO2. Обнаружено замедление диффузии атомов Ge в SiO2 при высокотемпературном отжиге под давлением. Показано, что при обычном отжиге формируются ненапряженные нанокристаллы Ge. Отжиг под давлением сопровождается формированием гидростатически напряженных нанокристаллов Ge. По сдвигу частоты оптических фононов в спектрах комбинационного рассеяния света определена величина деформации нанокристаллов Ge. Наблюдаемый в нанокристаллах сдвиг энергии резонанса комбинационного рассеяния света E1, E1+Delta1 соответствует квантованию энергии основного состояния двумерного экситона критической точки германия M1. Установлено, что полоса фотолюминесценции 520 нм формируется лишь в спектрах пленок, содержащих напряженные нанокристаллы Ge.
  • T. Takagahara, K. Takeda. Phys. Rev. B, 46, 15 578 (1992)
  • Y. Maeda. Phys. Rev. B, 51, 1658 (1995)
  • Y-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
  • M. Grundman, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11 969 (1995)
  • L. Yue, Y. He. J. Appl. Phys., 81, 2910 (1997)
  • H.A. Atwater, K.V. Shcheglov, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 321, 363 (1994)
  • S. Hayashi, J. Kanazawa, M. Takaoka, T. Nagareda, K. Yamamoto. Z. Phys. D, 26, 144 (1993)
  • S.Y. Ma, Z.C. Ma, W.H. Zong, H.X. Han, Z.P. Wang, G.H. Li, G. Qin, G.G. Qin. J. Appl. Phys., 84, 559 (1998)
  • Г.А. Качурин, Л. Ребол, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, М. Фельсков, В. Скорупа, Х. Фроб. ФТП, 34, 30 (2000); G.A. Kachurin, L. Rebohle, I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, M. Voelskow, W. Skorupa, H. Frob. Semiconductors, 34, 23 (2000)
  • I.V. Antonova, A. Misiuk, V.P. Popov, L.I. Fedina, S.S. Shaimeev. Physica B, 255, 251 (1996)
  • I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk. Appl. Phys. Lett., 73, 1418 (1998)
  • I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, E.N. Vandyshev, A. Misiuk, L. Rebohle, W. Skorupa, R.A. Yankov, V.P. Popov. Optical Materials, 17, 99 (2001)
  • L. Quin, K.L. Teo, Z.X. Shen, C.S. Peng, J.M. Zhou. Phys. Rev. B, 64, 075312-1 (2001)
  • F. Cerdeira, C.J. Buchenauer, F.H. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 5, 580 (1972)
  • M.A. Renucci, J.B. Renucci, R. Zeyher, M. Cardona. Phys. Rev. B, 10, 4309 (1974)
  • K.L. Teo, S.N. Kwok, P.Y. Yu, S. Guha. Phys. Rev. B, 62, 1584 (2000)
  • R. Zallen, W. Paul. Phys. Rev., 155, 703 (1967)
  • L. Rebohle. J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 2809 (1997)
  • G.C. John, V.A. Singh. Phys. Rev. B, 50, 5329 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.