Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Институт электронной технологии, 02-668 Варшава, Польша
3Институт ионно-лучевой физики и материаловедения, Исследовательский центр Росседорф, Д- Дрезден, Германия
2Институт электронной технологии, 02-668 Варшава, Польша
3Институт ионно-лучевой физики и материаловедения, Исследовательский центр Росседорф, Д- Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 22 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.
Изучено влияние гидростатического сжатия на процессы ионного синтеза нанокристаллов германия в SiO2. Обнаружено замедление диффузии атомов Ge в SiO2 при высокотемпературном отжиге под давлением. Показано, что при обычном отжиге формируются ненапряженные нанокристаллы Ge. Отжиг под давлением сопровождается формированием гидростатически напряженных нанокристаллов Ge. По сдвигу частоты оптических фононов в спектрах комбинационного рассеяния света определена величина деформации нанокристаллов Ge. Наблюдаемый в нанокристаллах сдвиг энергии резонанса комбинационного рассеяния света E1, E1+Delta1 соответствует квантованию энергии основного состояния двумерного экситона критической точки германия M1. Установлено, что полоса фотолюминесценции 520 нм формируется лишь в спектрах пленок, содержащих напряженные нанокристаллы Ge.
- T. Takagahara, K. Takeda. Phys. Rev. B, 46, 15 578 (1992)
- Y. Maeda. Phys. Rev. B, 51, 1658 (1995)
- Y-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990)
- M. Grundman, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11 969 (1995)
- L. Yue, Y. He. J. Appl. Phys., 81, 2910 (1997)
- H.A. Atwater, K.V. Shcheglov, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 321, 363 (1994)
- S. Hayashi, J. Kanazawa, M. Takaoka, T. Nagareda, K. Yamamoto. Z. Phys. D, 26, 144 (1993)
- S.Y. Ma, Z.C. Ma, W.H. Zong, H.X. Han, Z.P. Wang, G.H. Li, G. Qin, G.G. Qin. J. Appl. Phys., 84, 559 (1998)
- Г.А. Качурин, Л. Ребол, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, М. Фельсков, В. Скорупа, Х. Фроб. ФТП, 34, 30 (2000); G.A. Kachurin, L. Rebohle, I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, M. Voelskow, W. Skorupa, H. Frob. Semiconductors, 34, 23 (2000)
- I.V. Antonova, A. Misiuk, V.P. Popov, L.I. Fedina, S.S. Shaimeev. Physica B, 255, 251 (1996)
- I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk. Appl. Phys. Lett., 73, 1418 (1998)
- I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, E.N. Vandyshev, A. Misiuk, L. Rebohle, W. Skorupa, R.A. Yankov, V.P. Popov. Optical Materials, 17, 99 (2001)
- L. Quin, K.L. Teo, Z.X. Shen, C.S. Peng, J.M. Zhou. Phys. Rev. B, 64, 075312-1 (2001)
- F. Cerdeira, C.J. Buchenauer, F.H. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 5, 580 (1972)
- M.A. Renucci, J.B. Renucci, R. Zeyher, M. Cardona. Phys. Rev. B, 10, 4309 (1974)
- K.L. Teo, S.N. Kwok, P.Y. Yu, S. Guha. Phys. Rev. B, 62, 1584 (2000)
- R. Zallen, W. Paul. Phys. Rev., 155, 703 (1967)
- L. Rebohle. J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 2809 (1997)
- G.C. John, V.A. Singh. Phys. Rev. B, 50, 5329 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
