Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические свойства InAs, облученного протонами

Брудный В.Н.¹, Колин Н.Г.², Потапов А.И.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Государственный научно-исследовательский центр института физической химии им. Л.Я. Карпова, Обнинское отделение, Обнинск, Россия

Поступила в редакцию: 5 августа 2002 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования электрофизических свойств InAs, облученного ионами H⁺ (E=5 МэВ, D=2· 10¹⁶ см^-2). Показано, что независимо от уровня легирования и типа проводимости исходного материала после облучения InAs всегда приобретает n⁺-тип проводимости (n~(2-3)·10¹⁸ см^-3). Обсуждается явление закрепления уровня Ферми в облученном материале. Исследована термическая стабильность радиационных нарушений в InAs при температурах последующего отжига до 800^oC.

В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 84 (1986)
L.W. Aukerman. Phys. Rev., 115 (5), 1133 (1959)
M. Ladjemi. Le titre de docteur ingenieur (Universite de Paris-Sud, Centre D'Orsay, 1982)
V.N. Brudnyi, S.A. Vorobiev, A.A. Tsoi. Phys. St. Sol. (a), 72, 529 (1982)
Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. ФТП, 21 (8), 521 (1987)
J. Tersoff. Phys. Rev. B, 30 (8), 4874 (1984)
V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
В.В. Каратаев, М.Г. Мильвидский, Н.С. Рытова, В.И. Фистуль. ФТП, 11 (9), 1719 (1979)
J.J. Renn, W. Kohn. Phys. Rev. B, 10, 448 (1974)
В.Н. Брудный. ФТП, 33, 1290 (1999)
В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. Материаловедение (2002), в печати
В.В. Каратаев, Г.А. Немцова, Н.С. Рытова, Т.Г. Югова. ФТП, 11 (9), 1670 (1977)
Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. ФТП, 20 (5), 822 (1986)
Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, Е.С. Юрова. Физика и химия обраб. материалов, 4, 3 (1986)
В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32 (3), 316 (1998)
О.К. Гусев, В.П. Кириенко, А.А. Ломтев, В.Б. Яржембицкий. ФТП, 17 (6), 1153 (1983)
В.В. Каратаев, М.И. Резников, В.И. Тальянский. Поверхность. Физика, химия, механика, 4, 57 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель