Вышедшие номера
Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4
Боднарь И.В.1, Ящук В.А.1, Павловский В.Н.2, Яблонский Г.П.2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Email: chemzav@bsuir.by
Поступила в редакцию: 29 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 19 января 2022 г.
Принята к печати: 19 января 2022 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2022 г.

Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.