Вышедшие номера
Электрохимическое осаждение контактных материалов в постростовой технологии фотоэлектрических преобразователей
Малевская А.В. 1, Ильинская Н.Д. 1, Малевский Д.А. 1, Покровский П.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, natalya.ilynskaya@mail.ioffe.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, p.pokrovskiy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2021 г.
В окончательной редакции: 25 ноября 2021 г.
Принята к печати: 25 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

Проведены исследования и моделирование процесса электрохимического наращивания омических контактов при проведении постростовой технологии изготовления фотоэлектрических преобразователей. Разработана технология гальванического осаждения контактной системы Ag/Au при вертикальном и горизонтальном расположении гетероструктуры и анода в электролите. Достигнуто увеличение равномерности осаждения контактной системы до величины ~95% при толщине контактных шин ~5 мкм на площади гетероструктуры диаметром до 10 см. Ключевые слова: фотоэлектрические преобразователи, омические контакты, электрохимическое осаждение.