"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термоэлектрические и мемристивные особенности структур Sb2Te3/Sb2S3/Sb2Te3 и Ag/Sb2Te3/Ag
Science Committee of RA, Grant programs, № 21T-1C150.
Russian-Armenian University, RAU of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, -
Папикян А.1, Арутюнян С.2,1, Агамалян Н.2,1, Овсепян Р.2,1, Хачатурова А.2, Петросян С.2,1, Бадалян Г.2, Кафадарян Е.2,1
1Российско-Армянский университет, Ереван, Армения
2Институт физических исследований Национальной академии наук Армении, Аштарак, Армения
Email: papikyanarman.pap@gmail.com, sergeyhar56@gmail.com, natagham@gmail.com, ruben.ovsepyan@mail.ru, annakhachat@mail.ru, spetrosyan8@gmail.com, gbadalyan@mail.ru, ekafadaryan@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 ноября 2021 г.
В окончательной редакции: 16 ноября 2021 г.
Принята к печати: 16 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

Получены однослойные пленки Sb2Te3 и трехслойные структуры Sb2Te3/Sb2S3/Sb2Te3 методом термического вакуумного напыления и исследованы их термоэлектрические характеристики в широком диапазоне температур (5-350 K). Показано, что проводимость структуры Sb2Te3/Sb2S3/Sb2Te3 имеет полупроводниковый характер, удельное сопротивление превышает на порядок сопротивление пленки Sb2Te3; коэффициент Зеебека Sb2Te3/Sb2S3/Sb2Te3 соответственно в 1.5 и 3 раза превышает коэффициент Зеебека пленки и монокристаллического Sb2Te3. Вольт-амперные характеристики пленки Sb2Te3 проявляют мемристивные свойства с униполярным резистивным переключением, тогда как структуру Sb2Te3/Sb2S3/Sb2Te3 можно рассматривать как мемристор с параллельно подключенной емкостью. Ключевые слова: Sb2S3, Sb2Te3, пленки, ВАХ, коэффициент Зеебека, мемристор.
  1. Terry M. Tritt. Annu. Rev. Mater. Res., 41, 433 (2011)
  2. H.J. Goldsmid. Introduction to Thermoelectricity (Springer Series in Mater. Sci., 2010) p. 60
  3. S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov. Chem. Mater., 22, 635 (2010)
  4. Doo Seok Jeong, Reji Thomas, R.S. Katiyar, J.F. Scott, H. Kohlstedt, A. Petraru, Cheol Seong Hwang. Rep. Progr. Phys., 75, 076502 (2012)
  5. R.B. Jacobs-Gedrim, M.T. Murphy, F. Yang, N. Jain, M. Shanmugam, E. Sang Song, Y. Kandel, P. Hesamaddin, H. Yu Yu, M.P. Anantram, D.B. Janes, B. Yu. Appl. Phys. Lett., 112, 133101 (2018)
  6. J.J. Zhang, N. Liu, H.J. Sun, P. Yan, Y. Li, S.J. Zhong, S. Xie, R.J. Li, X.S. Miao. J. Electron. Mater., 45, 1154 (2016)
  7. Z. Lv, Y. Zhou, S.-T. Han, V.A.L. Roy. Materials Today, 21, 537 (2018)
  8. C. Du, W. Ma, T. Chang, P. Sheridan, W.D. Lu. Adv. Funct. Mater., 25, 4290 (2015)
  9. Y.V. Pershin, M. Di Ventra. Neural Netw., 23, 881 (2010)
  10. B. Lv, S. Hu, W.Li, X.Di, L. Feng, J. Zhang, L. Wu, Y. Cai, B. Li, Zh. Lei. Int. J. Photoenergy, 2010, Article ID 476589 (2010)
  11. Cheol-Min Park, Yoon Hwa, Nark-Eon Sung, Hun-Joon Sohn. J. Mater. Chem., 20, 1097 (2010)
  12. M.A. Popescu. Non-Crystalline Chalcogenicides (Springer, Solid-State Science and Technology Library, 2000). ISBN: 9780792366485.
  13. Wenwen Zheng, Peng Bi, Haochen Kang, Wei Wei, Fengming Liu, Jing Shi, Luxi Peng, Ziyu Wang, Rui Xiong. Appl. Phys. Lett., 105, 023901 (2014)
  14. G.J. Snyder, E.S. Toberer. Nature Mater., 7, 105 (2008)
  15. Y.K. Kuo, K.M. Sivakumar, C.A. Su, C.N. Ku, S.T. Lin, A.B. Kaiser, J.B. Qiang, Q. Wang, C. Dong. Phys. Rev. B, 74, 014208 (2006)
  16. V.V. Pryadun, D.V. Louzguine-Luzgin, L.V. Shvanskaya, A.N. Vasilieva. JETP Lett., 101, 465 (2015)
  17. Y.R. Guo, F. Dong, C. Qiao, J.J. Wang, S.Y. Wang, Ming Xu, Y.X. Zheng, R.J. Zhang, L.Y. Chen, C.Z. Wang, K.M. Ho. Phys. Chem. Chem. Phys., 20, 11768 (2018)
  18. А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, П.И. Лазаренко, А.В. Бабич, Н.А. Богословский, И.В. Сагунова, Е.Н. Редичев. ФТП, 51, 154 (2017)
  19. Ю.В. Храповицкая, Н.Е. Маслова, М.Л. Занавескин. Наука и образование: науч. изд. МГТУ им. Н.Э. Баумана, 12, 329 (2013)
  20. B. Sun, Y. Chen, M. Xiao, G. Zhou, Sh. Ranjan, W. Hou, X. Zhu, Y. Zhao, S.A.T. Redfern, Y.N. Zhou. Nano Lett., 19, 6461 (2019)
  21. B. Sun, M. Xiao, G. Zhou, Z. Ren, Y.N. Zhou, Y.A. Wu. Mater. Today Adv., 6, 100056 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.