Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термоэлектрические и мемристивные особенности структур Sb₂Te₃/Sb₂S₃/Sb₂Te₃ и Ag/Sb₂Te₃/Ag

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52126.9770

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.03.53071.9770

Science Committee of RA, Grant programs, № 21T-1C150.

Russian-Armenian University, RAU of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, -

Папикян А.¹, Арутюнян С.^2,1, Агамалян Н.^2,1, Овсепян Р.^2,1, Хачатурова А.², Петросян С.^2,1, Бадалян Г.², Кафадарян Е.^2,1

¹Российско-Армянский университет, Ереван, Армения Russian–Armenian University, Yerevan, Armenia

²Институт физических исследований Национальной академии наук Армении, Аштарак, Армения Institute for Physical Research, National Academy of Sciences of Armenia, Ashtarak, Armenia

Institute for Physical Research, National Academy of Sciences of Armenia, Ashtarak, Armenia

Email: papikyanarman.pap@gmail.com, sergeyhar56@gmail.com, natagham@gmail.com, ruben.ovsepyan@mail.ru, annakhachat@mail.ru, spetrosyan8@gmail.com, gbadalyan@mail.ru, ekafadaryan@gmail.com

Поступила в редакцию: 11 ноября 2021 г.

В окончательной редакции: 16 ноября 2021 г.

Принята к печати: 16 ноября 2021 г.

Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Получены однослойные пленки Sb₂Te₃ и трехслойные структуры Sb₂Te₃/Sb₂S₃/Sb₂Te₃ методом термического вакуумного напыления и исследованы их термоэлектрические характеристики в широком диапазоне температур (5-350 K). Показано, что проводимость структуры Sb₂Te₃/Sb₂S₃/Sb₂Te₃ имеет полупроводниковый характер, удельное сопротивление превышает на порядок сопротивление пленки Sb₂Te₃; коэффициент Зеебека Sb₂Te₃/Sb₂S₃/Sb₂Te₃ соответственно в 1.5 и 3 раза превышает коэффициент Зеебека пленки и монокристаллического Sb₂Te₃. Вольт-амперные характеристики пленки Sb₂Te₃ проявляют мемристивные свойства с униполярным резистивным переключением, тогда как структуру Sb₂Te₃/Sb₂S₃/Sb₂Te₃ можно рассматривать как мемристор с параллельно подключенной емкостью. Ключевые слова: Sb₂S₃, Sb₂Te₃, пленки, ВАХ, коэффициент Зеебека, мемристор.

Terry M. Tritt. Annu. Rev. Mater. Res., 41, 433 (2011)
H.J. Goldsmid. Introduction to Thermoelectricity (Springer Series in Mater. Sci., 2010) p. 60
S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov. Chem. Mater., 22, 635 (2010)
Doo Seok Jeong, Reji Thomas, R.S. Katiyar, J.F. Scott, H. Kohlstedt, A. Petraru, Cheol Seong Hwang. Rep. Progr. Phys., 75, 076502 (2012)
R.B. Jacobs-Gedrim, M.T. Murphy, F. Yang, N. Jain, M. Shanmugam, E. Sang Song, Y. Kandel, P. Hesamaddin, H. Yu Yu, M.P. Anantram, D.B. Janes, B. Yu. Appl. Phys. Lett., 112, 133101 (2018)
J.J. Zhang, N. Liu, H.J. Sun, P. Yan, Y. Li, S.J. Zhong, S. Xie, R.J. Li, X.S. Miao. J. Electron. Mater., 45, 1154 (2016)
Z. Lv, Y. Zhou, S.-T. Han, V.A.L. Roy. Materials Today, 21, 537 (2018)
C. Du, W. Ma, T. Chang, P. Sheridan, W.D. Lu. Adv. Funct. Mater., 25, 4290 (2015)
Y.V. Pershin, M. Di Ventra. Neural Netw., 23, 881 (2010)
B. Lv, S. Hu, W.Li, X.Di, L. Feng, J. Zhang, L. Wu, Y. Cai, B. Li, Zh. Lei. Int. J. Photoenergy, 2010, Article ID 476589 (2010)
Cheol-Min Park, Yoon Hwa, Nark-Eon Sung, Hun-Joon Sohn. J. Mater. Chem., 20, 1097 (2010)
M.A. Popescu. Non-Crystalline Chalcogenicides (Springer, Solid-State Science and Technology Library, 2000). ISBN: 9780792366485.
Wenwen Zheng, Peng Bi, Haochen Kang, Wei Wei, Fengming Liu, Jing Shi, Luxi Peng, Ziyu Wang, Rui Xiong. Appl. Phys. Lett., 105, 023901 (2014)
G.J. Snyder, E.S. Toberer. Nature Mater., 7, 105 (2008)
Y.K. Kuo, K.M. Sivakumar, C.A. Su, C.N. Ku, S.T. Lin, A.B. Kaiser, J.B. Qiang, Q. Wang, C. Dong. Phys. Rev. B, 74, 014208 (2006)
V.V. Pryadun, D.V. Louzguine-Luzgin, L.V. Shvanskaya, A.N. Vasilieva. JETP Lett., 101, 465 (2015)
Y.R. Guo, F. Dong, C. Qiao, J.J. Wang, S.Y. Wang, Ming Xu, Y.X. Zheng, R.J. Zhang, L.Y. Chen, C.Z. Wang, K.M. Ho. Phys. Chem. Chem. Phys., 20, 11768 (2018)
А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, П.И. Лазаренко, А.В. Бабич, Н.А. Богословский, И.В. Сагунова, Е.Н. Редичев. ФТП, 51, 154 (2017)
Ю.В. Храповицкая, Н.Е. Маслова, М.Л. Занавескин. Наука и образование: науч. изд. МГТУ им. Н.Э. Баумана, 12, 329 (2013)
B. Sun, Y. Chen, M. Xiao, G. Zhou, Sh. Ranjan, W. Hou, X. Zhu, Y. Zhao, S.A.T. Redfern, Y.N. Zhou. Nano Lett., 19, 6461 (2019)
B. Sun, M. Xiao, G. Zhou, Z. Ren, Y.N. Zhou, Y.A. Wu. Mater. Today Adv., 6, 100056 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель