Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства кремниевых нанопилларов со встроенным вертикальным p-n-переходом

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52121.9761

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.03.53067.9761

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-29-20066 мк

Российский научный фонд (РНФ), 17-13-01412

Басалаева Л.С.

¹, Царев А.В.

^1,2, Аникин К.В.

¹, Вебер С.Л.

^2,3, Крыжановская Н.В.

⁴, Настаушев Ю.В.

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Международный томографический центр СО РАН, Новосибирск, Россия International Tomography Center, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

International Tomography Center, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁴Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: basalaeva@isp.nsc.ru, tsarev@isp.nsc.ru, kirill_anikin@list.ru, sergey.veber@tomo.nsc.ru, kryj@mail.ioffe.ru, nast@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 10 ноября 2021 г.

В окончательной редакции: 20 ноября 2021 г.

Принята к печати: 20 ноября 2021 г.

Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования резонансного отражения света упорядоченными массивами кремниевых (Si) нанопилларов. Высота Si нанопилларов составляла 450 нм. Было изучено влияние процесса окисления Si нанопилларов в концентрированной азотной кислоте на положение резонансов в спектрах отражения. Доказано слабое влияние дополнительного полимерного покрытия на характеристики отражения от структур. На основе результатов экспериментального исследования и прямого численного моделирования с применением трехмерного алгоритма конечных разностей во временной области (3D FDTD) установлено, что зависимость резонансной длины волны Si нанопилларов от диаметра Si нанопилларов является линейной функцией c ненулевым смещением, зависящим от периода. Ключевые слова: кремниевые нанопиллары (наностолбики), структурный цвет, диэлектрическая нанофотоника.

Yu. Kivshar. Natl. Sci. Rev., 5 (2) 144 (2018)
Z.-J. Yang, R. Jiang, X. Zhuo, Y.-M. Xie, J. Wang, H.-Q. Lin. Phys. Rep., 701, 1 (2017)
H. Bertin, Y. Br\^ule, G. Magno, T. Lopez, P. Gogo, L. Pradere, B. Gralak, D. Barat, G. Demesy, B. Dagens. ACS Photonics, 5 (7), 2661 (2018)
S.I. Lepeshov, A.E. Krasnok, P.A. Belov, A.E. Miroshnichenko. Phys.-Usp., 61 (11), 1035 (2018)
C. Zou, J. Sautter, F. Setzpfandt, I. Staude. J. Phys. D: Appl. Phys., 52, 373002 (2019)
K.V. Baryshnikova, M.I. Petrov, V.E. Babicheva, P.A. Belov. Sci. Rept., 6, 22136 (1-11) (2016)
A. Kuznetsov, A. Miroshnichenko, Y. Fu, J. Zhang, B. Luk'yanchuk. Sci. Rep., 2, 492 (2012)
V.-C. Su, C.H. Chu, G. Sun, D.P. Tsai. Opt. Express, 26, 13148 (2018)
M. Brongersma, Y. Cui, S. Fan. Nature Materials, 13, 451 (2014)
A.L. Hernandez, R. Casquel, M. Holgado, I. Cornago, F. Fernandez, P. Ciaurriz, F.J. Sanza, B. Santamari a, M.V. Maigler, M. Fe Laguna. Optics Lett., 41 (23), 5430 (2016)
V. Flauraud, M. Reyes, R. Paniagua-Domi nguez, A.I. Kuznetsov, J. Brugger. ACS Photonics, 4 (8), 1913 (2017)
H. Li, S. Gao, Y. Li, C. Zhang, W. Yue. Opt. Express, 27 (24), 35027 (2019)
C. Park, V.R. Shrestha, W. Yue, Song Gao, S.-S. Lee, E.-S. Kim, D.-Y. Choi. Sci. Rept., 7 (2556), 1-9 (2017).
W. Yue, S. Gao, S.-S. Lee, E.-S. Kim, D.-Y. Choi. Laser Photonics Rev., 11 (3), 1600285 (2017)
B.-H. Cheong, O.N. Prudnikov, E. Cho, H.-S. Kim, J. Yu, Y.-S. Cho, H.-Y. Choi, S.T. Shin. Appl. Phys. Lett., 94, 213104, 1 (2009)
X. Li, J. Li, T. Chen, B.K. Tay, J. Wang, H. Yu. Nanoscale Res. Lett., 5, 1721 (2010)
S. Yalamanchili, H.S. Emmer, K.T. Fountaine, C.T. Chen, N.S. Lewis, H.A. Atwater. ACS Photonics, 3 (10), 1854 (2016)
L.S. Basalaeva, Yu.V. Nastaushev, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, D.A. Radnatarov, S.A. Khripunov, D.E. Utkin, I.B. Chistokhin, A.V. Latyshev, F.N. Dultsev. Thin Sol. Films, 672, 109 (2019)
А. Smyrnakis, P. Dimitrakis, P. Normand, E. Gogolides. Microelectron. Eng., 174, 74 (2017)
S. Tsoi, F.J. Bezares, A. Giles, J.P. Long, O.J. Glembocki, J.D. Caldwe, J. Owrutsky. Appl. Phys. Lett., 108, 11110 (1-5) (2016)
N. Dhindsa, R. Kohandani, S.S. Saini. Nanotechnology, 31, 224001 (2020)
L.S. Golobokova, Yu.V. Nastaushev, F.N. Dultsev, D.V. Gulyaev, A.B. Talochkin, A.V. Latyshev. J. Phys.: Conf. Ser., 541 (1), 012074 (2014)
L.S. Basalaeva, Y.V. Nastaushev, F.N. Dultsev. Materials Today: Proceedings, 4 (11), 11341 (2017)
Rsoft FullWave by SYNOPSYS. Photonic Design Software. https://www.synopsys.com/optical-solutions/rsoft.html
Y. Yu, L. Cao. Opt. Express, 20, 13847 (2012)
F.J. Bezares, J.P. Long, O.J. Glembocki, Junpeng Guo, R.W. Rendell, R. Kasica, L. Shirey, J.C. Owrutsky, J.D. Caldwell. Opt. Express, 21 (23), 27587 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель