Низкотемпературная фотолюминесценция монослоя WSe2, полученного механическим слоением с использованием золота
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Аспиранты, 20-32-90215
Николаев С.Н.
1, Багаев В.С.
1, Чернопицский М.А.
1, Усманов И.И.
1, Онищенко Е.Е.
1, Деева А.А.
1, Кривобок В.С.
11Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: nikolaev-s@yandex.ru, bagaevvs@lebedev.ru, chernopicskiyma@lebedev.ru, usmanov.ii@phystech.edu, onishchenkoee@lebedev.ru, deeva.aa@phystech.edu, krivobok@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 16 ноября 2021 г.
В окончательной редакции: 20 ноября 2021 г.
Принята к печати: 20 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.
На основе измерений спектров комбинационного рассеяния света, низкотемпературной фотолюминесценции и микроотражения исследованы оптические свойства атомарно тонкой пленки WSe2, полученной механическим слоением с использованием золота. При комнатной температуре оптические свойства такой пленки воспроизводят свойства монослоев WSe2, полученных механическим слоением без использования золота. Показано, что при гелиевых температурах спектры излучения полученной пленки определяются стандартными механизмами излучательной рекомбинации с участием свободных экситонов, связанных экситонов и трионов. Тем не менее, в отличие от комнатных температур, наблюдается существенное различие в спектральной ширине и интенсивности линий по сравнению с монослоями WSe2, отщепленными без использования золота из того же исходного материала. Обнаруженные отличия, демонстрирующие значительное усиление фонового легирования и структурного беспорядка при использовании золота, могут быть существенны для целого ряда оптоэлектронных применений атомарно тонких пленок WSe2. Ключевые слова: слоистые полупроводники, люминесценция, монослой, экситоны.
- A. Chaves, J.G. Azadani, H. Alsalman, D.R. da Costa, R. Frisenda, A.J. Chaves, S.H. Song, Y.D. Kim, D. He, J. Zhou, A. Castellanos-Gomez, F.M. Peeters, Zheng Liu, C.L. Hinkle, Sang Hyun Oh, Peide D. Ye, S.J. Koester, Young Hee Lee, Ph. Avouris, Xinran Wang. npj 2D Mater. Appl., 4 (1), 29 (2020)
- D. Waters, Y. Nie, F. Luupke, Y. Pan, S. Folsch, Y.-C. Lin, B. Jariwala, K. Zhang, C. Wang, H. Lv, K. Cho, D. Xiao, J.A. Robinson, R.M. Feenstra. ACS Nano, 14 (6), 7564 (2020)
- K.F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 105 (13), 136805 (2010)
- W. Zhao, Z. Ghorannevis, L. Chu, M. Toh, C. Kloc, P.-H. Tan, G. Eda. ACS Nano, 7 (1), 791 (2013)
- K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science, 306 (5696), 666 (2004)
- Z. Lin, A. Mc Creary, N. Briggs, S. Subramanian, K. Zhang, Y. Sun, X. Li, N. J. Borys, H. Yuan, S.K. Fullerton-Shirey, A. Chernikov, H. Zhao, St. Mc Donnell, A.M. Lindenberg, K.Xiao, B.J. Le Roy, M. Drndic, J. CM Hwang, J. Park, M. Chhowalla, R.E. Schaak, A. Javey, M.C. Hersam, J. Robinson, M. Terrones. 2D Materials, 3 (4), 042001 (2016)
- X. Luo, Y. Zhao, J. Zhang, M. Toh, C. Kloc, Q. Xiong, S.Y. Quek. Phys. Rev. B, 88 (19), 195313 (2013)
- W. Zhao, R.M. Ribeiro, M. Toh, A. Carvalho, C. Kloc, A.H. Castro Neto, G. Eda. Nano Lett., 13 (11), 5627 (2013)
- G. Wang, L. Bouet, D. Lagarde, M. Vidal, A. Balocchi, T. Amand, X. Marie, B. Urbaszek. Phys. Rev. B, 90 (7), 075413 (2014)
- S. Tongay, J. Suh, C. Ataca, W. Fan, A. Luce, J.S. Kang, J. Liu, C. Ko, R. Raghunathanan, J. Zhou, F. Ogletree, J. Li, J.C. Grossman, J. Wu. Sci. Rept., 3 (1), 2657 (2013)
- Y. You, X.-X. Zhang, T.C. Berkelbach, M.S. Hybertsen, D.R. Reichman, T.F. Heinz. Nature Physics, 11 (6), 477 (2015)
- A. Arora, M. Koperski, K. Nogajewski, J. Marcus, C. Faugeras, M. Potemski. Nanoscale, 7 (23), 10421 (2015)
- W. Zhou, X. Zou, S. Najmaei, Z. Liu, Y. Shi, J. Kong, J. Lou, P.M. Ajayan, B.I. Yakobson, J.-C. Idrobo. Nano Lett., 13 (6), 2615 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.