"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние режима получения образцов и термообработки на локальную структуру халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5
Гарибова С.Н.1,2, Исаев А.И.1, Мехтиева С.И.1, Атаева С.У.1, Алекперов Р.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Университет Хазар, Департамент физики и электроники, Az Баку, Азербайджан
Email: sqaribova@rambler.ru
Поступила в редакцию: 15 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 23 октября 2021 г.
Принята к печати: 23 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

Методами рентгеновской дифракции и рамановской спектроскопии исследованы особенности фазовых переходов "аморфное состояние-кристалл" в зависимости от способа получения образцов и термообработки, а также изменения структуры и ближнего порядка в расположении атомов халькогенидного полупроводника Ge20Sb20.5Te51. Показано, что пленки Ge20Sb20.5Te51, полученные термическим испарением на неподогреваемой подложке, являются аморфными, прошедшие термообработку при 220 и 400oC переходят в кристаллическую фазу c кубической и гексагональной структурой. Определены химические cвязи и основные структурные элементы, образующие матрицу исследованных объектов, а также изменения, происходящие в них при термообработке. Kлючевые слова: халькогенидные полупроводники, локальная структура, фазовый переход, рамановская спектроскопия.
  1. B.T. Kolomies, N.A. Qoryunova. Techn. Phys. Lett., 25 (6), 984 (1955) [in Russian]
  2. M. Wuttig, N. Yamada. Nature Materials, 6, 824 (2007)
  3. W. Welnic, M. Wuttig. Materials Today, 11 (6), 20 (2008)
  4. D. Lencer, M. Salinga, M. Wuttig. Adv. Mater., 23, 2030 (2011)
  5. S.N. Garibova, A.I. Isaev, S.I. Mekhtieva, S.U. Ataeva. Semiconductors, 53 (11), 1507 (2019)
  6. S.U. Ataeva, S.I. Mekhtieva, A.I. Isaev, S.N. Garibova, A.S. Huseynova. Semiconductors, 53, 1637 (2019)
  7. V. Bragaglia, B. Jenichen, A. Giussani, K. Perumal, H. Riechert, R. Calarco. Appl. Phys., 116, 054913 (2014)
  8. X. Zemin, C. Chaonan, W. Zhewei, W. Ke, C. Haining, Y. Hui. RSC Advances, 8, 21040 (2018)
  9. Zhang Ting, Liu Bo, Xia Ji-Lin, Song Zhi-Tang, Feng Song-Lin, Chen Bomy. Chin. Phys. Lett., 21 (4), 741 (2004)
  10. A.L. Lacaita. Sol. St. Electron., 50, 24 (2006)
  11. K. Shportko, l. Revutska, O. Paiuk, J. Baran, A. Stronski, A. Gubanova, E. Venger. Optical Mater., (Amst), 73, 489 (2015)
  12. B. Liu, Z. Song, T. Zhang, S. Feng, B. Chen. Chinese Phys., 13, 1947 (2004)
  13. E. Cho, S. Yoon, H.R. Yoon, W. Jo. J. Korean Phys. Soc., 48 (6), 1616 (2006)
  14. V. Bragaglia, K. Holldack, J.E. Boschker, F. Arciprete, E. Zallo, T. Flissikowski, R. Calarco. Sci. Rept., 6, 28560 (2016)
  15. G.G. Sosso, S. Caravati, R. Mazzarello, M. Bernasconi. Phys. Rev. B, 83, 134201 (2011)
  16. S.A. Kozyukhin, V.H. Kudoyarova, H.P. Nguyen, A. Smirnov, V. Lebedev. Phys. Status Solidi C, 8 (9), 2688 (2011)
  17. G. Bulai, O. Pompilian, S. Gurlui, P. Nemec, V. Nazabal, N. Cimpoesu, B. Chazallon, C. Focsa. Nanomaterials, 9, 676 (2019)
  18. P. Nemec, V. Nazabal, A. Moreac, J. Gutwirth, L. Benes, M. Frumar. Mater. Chem. Phys., 136, 935 (2012)
  19. J. Tominaga, N. Atoda. Jpn. J. Appl. Phys., 38, L322 (1999)
  20. S. Kozyukhin, M. Veres, H.P. Nguyen, A. Ingram, V. Kudoyarova. Phys. Procedia, 44, 82 (2013)
  21. K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga. J. Phys.: Condens. Matter, 18 (2006)
  22. G. Lucovsky, D.A. Baker, M.A. Paesler, J.C. Phillips. J. Non-Cryst. Sol., 353, 1713 (2007)
  23. S. Sugai. Phys. Rev. B, 35, 1345 (1987)
  24. J. Koblar, B. Arlin, G. Shau. Phys. Rev. B, 60, R14985(R) (1999)
  25. E. Yalon, S. Deshmukh, M. Munoz Rojo, F. Lian, C.M. Neumann, F. Xiong, E. Pop. Sci. Rept., 7, 15360 (2017)
  26. K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga. J. Phys. Condens. Matter, 18 (2006)
  27. P. Nеmec, A. Moreac, V. Nazabal, M. Pavlivsta, J. Prikryl, M. Frumar. J. Appl. Phys., 106, 103509 (2009)
  28. H.R. Yoo, W. Jo, E. Cho, S. Yoon, M. Kim. J. Non-Cryst. Sol., 352, 3757 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.