"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование взаимосвязи механических напряжений, оптической неоднородности и концентрации кислорода в кристаллах германия
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Научно-технологическое развитие РФ, FSRZ-2020-0013
Шиманский А.Ф. 1, Кравцова Е.Д.1, Кулаковская Т.В.2, Григорович А.П.2, Копыткова С.А.2, Смирнов А.Д.3
1Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
2АО "Германий", Красноярск, Россия
3ЗАО Группа СТР“, Санкт-Петербург, Россия
Email: shimanaf@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 ноября 2021 г.
В окончательной редакции: 15 ноября 2021 г.
Принята к печати: 15 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

Представлены результаты исследования радиального распределения механических напряжений, концентрации кислорода и оптической неоднородности в кристаллах германия диаметром 200 мм, легированных сурьмой, с удельным электрическим сопротивлением от 10.5 до 18.5 Ом · см, выращенных по методу Чохральского. Установлено, что остаточные напряжения, рассчитанные по данным рентгеноструктурного анализа, коррелируют с результатами численного моделирования термоупругих напряжений и взаимосвязаны со значениями оптической неоднородности и концентрации растворенного кислорода, присутствующего в германии в атомарно-диспергированном состоянии. Ключевые слова: германий, монокристаллы, механические напряжения, оптическая неоднородность, примесь кислорода.
  1. F. Dimroth, S. Kurtz. MRS Bull., 32 (3), 230 (2007). DOI: 10.1557/mrs2007.27
  2. A. Luque, S. Hegedus. Handbook Photovoltaic Science and Engineering (John Wiley \& Sons Ltd., Chichester, 2003)
  3. C.L. Claeys, E. Simoen. Germanium-Based Technologies: from Materials to Devices (Elsevier B.V, Amsterdam, 2007)
  4. C.L. Claeys, E. Simoen. Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects (Springer, Berlin [etc.], 2009)
  5. B. Depuydt, A. Theuwis, I. Romandic. Mater. Sci. Semicond. Process., 9 (4-5), 437 (2006). DOI: 10.1016/j.mssp.2006.08.002
  6. K. Seref, I. Romandic, A. Theuwis. Mater. Sci. Semicond. Process., 9 (4-5), 753 (2006). DOI: 10.1016/j.mssp.2006.08.035
  7. A. Chroneos, R.V. Vovk. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 26 (10), 7378 (2015). DOI: 10.1007/s10854-015-3367-7
  8. T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga. J. Cryst. Growth, 311 (22), 4615 (2009). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.09.001
  9. T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Osawa, M. Suezawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, K. Hoshikawa, I. Yonenaga. J. Cryst. Growth, 312 (19), 2783 (2010). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.05.045
  10. V.I. Talanin, I.E. Talanin. J. Cryst. Growth, 552 125928 (2020). DOI: 0.1016/j.jcrysgro.2020.125928
  11. K. Sueoka, J. Vanhellemont. Mater. Sci. Semicond. Process., 9 (4-5), 494 (2006). DOI: 10.1016/j.mssp.2006.08.004
  12. Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga. J. Appl. Phys., 109 (11), 113502 (2011). DOI: 10.1063/1.3592226
  13. CGSim package for analysis and optimization of Cz, LEC, VCz, and Bridgman growth of semiconductor and semitransparent crystals // STR [site]. URL: http://www.str-soft.com/products/CGSim/
  14. A.F. Shimanskii, O.I. Podkopaev, V.N. Baranov. Adv. Mater. Res., 1101, 115 (2015). DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.1101.115
  15. И.А. Каплунов, В.Е. Рогалин, М.Ю. Гавалян. Опт. и спектр., 118 (2), 254 (2015). DOI: 10.7868/S0030403415020087 [I.A. Kaplunov, V.E. Rogalin, M.Y. Gavalyan. Opt. Spectrosc., 118 (2), 240 (2015). DOI: 10.1134/S0030400X15020083]
  16. M. Roth, M. Azoulay, G. Gafni, M. Mizrachi. J. Cryst. Growth, 99 (1-4), 670 (1990)
  17. V.V. Artemyev, A.D. Smirnov, V.V. Kalaev, V.M. Mamedov, A.P. Sidko, O.I. Podkopaev, E.D. Kravtsova, A.F. Shimansky. J. Cryst. Growth, 468, 443 (2017). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2017.01.032
  18. A.S. Cooper. Acta Cryst., 15, 578 (1962). DOI: 10.1107/S0365110X62001474

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.