"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание слоев GaAs1-xBix методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Семягин Б.Р. 1, Колесников А.В. 1, Путято М.А. 1, Преображенский В.В. 1, Попова Т.Б.2, Ушанов В.И.2, Чалдышев В.В. 2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sbr@isp.nsc.ru, kolesn@isp.nsc.ru, puma@isp.nsc.ru, pvv@isp.nsc.ru, ushanovvi@mail.ioffe.ru, chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 ноября 2021 г.
В окончательной редакции: 12 ноября 2021 г.
Принята к печати: 12 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои твердых растворов GaAs1-xBix с содержанием висмута 0<x<0.02. Изучены структурные и оптические свойства слоев. Определено влияние потока висмута и температуры подложки на захват висмута в выращиваемые слои. Ключевые слова: арсенид галлия, висмут, молекулярно-лучевая эпитаксия, ширина запрещенной зоны.
  1. V.V. Chaldyshev, S.V. Novikov. Isovalent impurity doping of direct-gap III-V semiconductor layers. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, eds. M. Levinshtein and M. Shur (Wiley-Interscience, N.Y., USA, 1997)
  2. Р.Х. Акчурин, Ю.Ф. Бирюлин, Ле Динь Као, В.И. Фистуль, В.В. Чалдышев. Электрон. техн. Материалы, 11, 22 (1984)
  3. Ю.Ф. Бирюлин, Н.В. Ганина, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 19 (6), 1104 (1985)
  4. Н.В. Ганина, В.Б. Уфимцев, В.И. Фистуль. Письма ЖТФ, 8, 620 (1982)
  5. Ю.Ф. Бирюлин, Н.В. Ганина, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, 12 (5), 274 (1986)
  6. Ю.Ф. Бирюлин, Л.В. Голубев, С.В. Новиков, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 21 (5), 949 (1987)
  7. Ю.Ф. Бирюлин, В.В. Воробьева, В.Г. Голубев, Л.В. Голубев, В.И. Иванов-Омский, С.В. Новиков, А.В. Осутин, И.Г. Савельев, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев, О.В. Ярошевич. ФТП, 21 (12), 2201 (1987)
  8. S. Tixier, M. Adamcyk, T. Tiedje, S. Francoeur, A. Mascarenhas, P. Wei, F. Schiettekatte. Appl. Phys. Lett., 82 (14), 2245 (2003)
  9. S. Francoeur, M.-J. Seong, A. Mascarenhas, S. Tixier, M. Adamcyk, T. Tiedje. Appl. Phys. Lett., 82 (22), 3874 (2003)
  10. E. Tisbi, E. Placidi, R. Magri, P. Prosposito, R. Francini, A. Zaganelli, S. Cecchi, E. Zallo, R. Calarco, E. Luna, J. Honolka, M. Vondravcek, S. Colonna, F. Arciprete. Phys. Rev. Appl., 14 (1), 014028 (2020)
  11. Yuchen Liu, Xin Yi, N.J. Bailey, Zhize Zhou, T.B.O. Rockett, Leh W. Lim, Chee H. Tan, R.D. Richards, J.P.R. David. Nature Commun., 12 (1), 4784 (2021)
  12. K. Bertulis, A. Krotkus, G. Aleksejenko, V. Pavcebutas, R. Adomavivcius, G. Molis, S. Marcinkevivcius. Appl. Phys. Lett., 88 (20), 201112 (2006)
  13. Sonia Blel, C. Bilel. J. Electron. Mater., 50 (6), 3380 (2021)
  14. S.T. Schaefer, M.S. Milosavljevic, R.R. Kosireddy, S.R. Johnson. J. Appl. Phys., 129 (3), 035303 (2021)
  15. Y. Guan, G. Luo, D. Morgan, S.E. Babcock, T.F. Kuech. J. Phys. Chem. Solids, 138, 109245 (2020)
  16. M.A. Stevens, K.A. Grossklaus, T.E. Vandervelde. J. Cryst. Growth, 527, 125216 (2019)
  17. C. Cornille, A. Arnoult, Q. Gravelier, C. Fontaine. J. Appl. Phys., 126 (9), 093106 (2019)
  18. M.A. Stevens, K.A. Grossklaus, J.H. McElearney, T.E. Vandervelde. J. Electron. Mater., 48 (5), 3376 (2019)
  19. J. Puustinen, J. Hilska, M. Guina. J. Cryst. Growth, 511, 33 (2019)
  20. P. van der Sluis. J. Phys. D: Appl. Phys., 26, A188 (1993)
  21. G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 9 (1981)
  22. L.G. Lavrent'eva, M.D. Vilisova, V.V. Preobrazhenskii, V.V. Chaldyshev. Crystallography Reports, 47, S118 (2002)
  23. V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Eng. B, 88, 195 (2002)
  24. M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, D.D. Nolte, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Annual Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
  25. A.R. Mohmad, F. Bastiman, J.S. Ng, S.J. Sweeney, J.P.R. David. Phys. Status Solidi C, 9 (2), 259 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.