"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анизотропные напряжения в слоях GaN(1120) на подложке r-Al2O3 при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Середова Н.В.1, Пантелеев В.Н.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lena@triat.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 10 ноября 2021 г.
Принята к печати: 10 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

Сообщается о росте неполярных GaN(1120) структур методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии с использованием буферного слоя AlN, синтезированного методом эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке r-Al2O3. Показано, что упругие напряжения в структуре GaN(1120)/r-Al2O3 в направлении осей "c" и "a" слоя различаются, коррелируют с величинами полуширин кривых качания спектров рентгеновской дифракции в этих направлениях и обусловлены анизотропией коэффициентов термического расширения решеток как слоя, так и подложки. Ключевые слова: неполярный нитрид алюминия, анизотропия напряжений в слое.
  1. M. Khan, J.N. Kuznia, A.R. Bhattarai, D.T. Olson. Appl. Phys. Lett., 62, 1786 (1993)
  2. M.A. Alim, A.Z. Chowdhury, Sh. Islam, Ch. Gaquiere, G. Crupi. Electronics, 10, 1115 (2021)
  3. K.J. Singh, Y.-M. Huang, T. Ahmed, A.-Ch. Liu, S.-W. Huang Chen, F.-J. Liou, T. Wu, Ch.-Ch. Lin, Ch.-W. Chow, G.-R. Lin, H.-Ch. Kuo. Appl. Sci., 10, 7384 (2020)
  4. T. Paskova, R. Kroeger, D. Hommel, P.P. Paskov, B. Monemar, E. Preble, A. Hanser, N.M. Williams, M. Tutor. Phys. Status Solidi C, 4, 25369 (2007)
  5. X. Ni, Y.Fu, Y.T. Moon, N. Biyikli, H. Morkoc. J. Cryst. Growth, 290, 166 (2006)
  6. R.K. Pant, D.K. Singh, B. Roul, A.M. Chowdhury, G. Chandan, K.K. Nanda, S.B. Krupanidhi. Phys. Status Solidi A, 216, 1900171 (2019)
  7. A.A. Donskov, L.I. D'yakonov, A.V. Govorkov, Y.P. Kozlova, S.S. Malakhov, A.V. Markov, M.V. Mezhennyi, V.F. Pavlov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, T.G. Yugova, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. B, 26 (6), 1937 (2008)
  8. M. Lee, M. Yang, S. Park. Cryst. Eng. Commun., 20, 1 (2018)
  9. J. Yang, T. Wei, Q. Hu, Z. Huo, B. Sun, R. Duan, J. Wang. Mater. Sci. Semicond. Process., 29, 357 (2015)
  10. V. Bessolov, A. Kalmykov, E. Konenkova, S. Kukushkin, A. Myasoedov, N. Poletaev, S. Rodin. J. Cryst. Growth, 457, 202 (2017)
  11. С.А. Смирнов, В.Н. Пантелеев, Ю.В. Жиляев, С.Н. Родин, А.С. Сегаль, Ю.Н. Макаров, А.В. Буташин. ЖТФ, 78 (12), 70 (2008)
  12. V. Aggarwal, C. Ramesh, P. Tyagi, S. Gautam, A. Sharma, S. Husale, M.S. Kumar, S.S. Kushvaha. Mater. Sci. Semicond. Proc., 125, 105631 (2021)
  13. T. Paskova, V. Darakchieva, P.P. Paskov, J. Birch, E. Valcheva, P.O.A. Persson, B. Arnaudov, S. Tungasmitt, B. Monemar. J. Cryst. Growth, 281, 55 (2005)
  14. H. Shin, K. Jeon, Y. Jang, M. Gang, M. Choi, W. Park, K. Park. J. Korean Phys. Soc., 63 (8), 1621 (2013)
  15. T. Narita, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki. Phys. Status Solidi C, 0 (7), 2154 (2003)
  16. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев. ЖТФ, 90 (12), 123 (2020)
  17. G. Grabowski, R. Lach, Z. Pedzich, K. Swierczek, A Wojteczko. Arch. Civil Mechan. Engin., 18, 188 (2018)
  18. W. Qian, M. Skowronski, G.R. Rohrer. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 423, 475 (1996)
  19. K. Wang, R.R. Reeber. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 863 (1998)
  20. H.P. Maruska, J.J. Tietjen. Appl. Phys. Lett., 15, 327 (1969)
  21. J. Lahnemann, U. Jahn, O. Brandt, T. Flissikowski, P. Dogan, H.T. Grahn. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 423001 (2014)
  22. C.M. Drum. Phil. Mag., 11 (110), 313 (1965)
  23. P. Vennegues, J.M. Chauveau, Z. Bougrioua, T. Zhu, D. Martin, N. Grandjean. J. Appl. Phys., 112, 113518 (2012)
  24. M. Albrecht, S. Christiansen, G. Salviati, C. Zanotti-Fregonara, Y.T. Rebane, Y.G. Shreter, M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp, K.J. Ebeling, M.D. Bremser, R.F. Davis, H.P. Strunk. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 468, 293 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.