Вышедшие номера
Анизотропные напряжения в слоях GaN(1120) на подложке r-Al2O3 при хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Середова Н.В.1, Пантелеев В.Н.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lena@triat.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 10 ноября 2021 г.
Принята к печати: 10 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

Сообщается о росте неполярных GaN(1120) структур методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии с использованием буферного слоя AlN, синтезированного методом эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке r-Al2O3. Показано, что упругие напряжения в структуре GaN(1120)/r-Al2O3 в направлении осей "c" и "a" слоя различаются, коррелируют с величинами полуширин кривых качания спектров рентгеновской дифракции в этих направлениях и обусловлены анизотропией коэффициентов термического расширения решеток как слоя, так и подложки. Ключевые слова: неполярный нитрид алюминия, анизотропия напряжений в слое.