Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
2Antena Development, Waveband Corporation, Torrance, Ca., USA
2Antena Development, Waveband Corporation, Torrance, Ca., USA
Поступила в редакцию: 16 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
Приводятся результаты исследования электрических свойств впервые изготовленной изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3-p-GaSe. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение отрицательной дифференциальной проводимости при прямом напряжении смещения, а при освещении структуры также - и при обратном смещении.
- С.И. Драпак, В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.А. Манассон. Физическая электроника, 41, 92 (1990)
- С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк. Письма ЖТФ, 27 (18), 1 (2001)
- V.A. Manasson, Z.D. Kovalyuk, S.I. Drapak, V.N. Katerinchuk. Electron. Lett., 26 (10), 664 (1990)
- V.P. Savchun, V.B. Kutsai. Thin Sol. Films, 361-- 362, 361 (2000)
- R.H. Williams, A.J. McAvej. J. Vac. Sci. Technol., 2, 867 (1972)
- F. Mayer, E.E. de Kluizerenaar, D. den Engelsen. IOSA, 63, 529 (1979)
- Л.Б. Ананьина, В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 10, 2373 (1976)
- S.I. Drapak, V.N. Katerinchuk, Z.D. Kovalyuk, V.A. Manasson. Phys. St. Sol. (a), 115, K35 (1989)
- R.R. Daniels, G. Margaritondo, C. Quaresima, P. Perfetti, F. Levy. J. Vac. Sci. Technol. 3, 979 (1985)
- В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖТФ, 25 (2), 29 (1999)
- В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11, 2000 (1977)
- E.H. Rhoderick. Metal--Semiconductor Contacts (Claredon Press, Oxford, 1978)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1472 (1984)
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции (М., Радио и связь, 1978)
- П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.-Chichester-Brisbane-Toronto-Singapore, Willey-Interscience Publication, 1981) v. 1]
- В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы (М., Высш. шк., 1987)
- C. Tatsuyama, S. Ichimura, H. Iwakuro. Jap. J. Appl. Phys., 21, L25 (1982)
- М.В. Курик, З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук. ФТП, 17, 1883 (1983)
- В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Е.А. Тишин, В.Ф. Чишко. Физическая электроника, 19, 123 (1979)
- С.И. Драпак, В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.А. Манассон. Фотоэлектрические свойства гетероструктуры In2O2--Ga2O3--GaSe с туннельно-тонким слоем диэлектрика (Киев, ИПМ, 1989)
- T. Hariu, S. Sasaki, H. Adachi, H. Shibata. Jap. J. Appl. Phys., 16, 841 (1977)
- Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relatioships in Science and Technology, New Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics, 17, ed. by O. Madelung (Berlin, Springer, 1983)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник под ред. А.В. Новоселова, В.Б. Лазарева, З.С. Медведевой, Н.П. Лужной, А.А. Левина (М., Наука, 1979)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1965)
- Р. Смит. Полупроводники (М., ИЛ, 1962)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
