Вышедшие номера
Электрические свойства изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe
Драпак С.И.1, Манассон В.А.2, Нетяга В.В.1, Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2Antena Development, Waveband Corporation, Torrance, Ca., USA
Поступила в редакцию: 16 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Приводятся результаты исследования электрических свойств впервые изготовленной изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3-p-GaSe. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение отрицательной дифференциальной проводимости при прямом напряжении смещения, а при освещении структуры также - и при обратном смещении.