"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe
Драпак С.И.1, Манассон В.А.2, Нетяга В.В.1, Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2Antena Development, Waveband Corporation, Torrance, Ca., USA
Поступила в редакцию: 16 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Приводятся результаты исследования электрических свойств впервые изготовленной изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение отрицательной дифференциальной проводимости при прямом напряжении смещения, а при освещении структуры также --- и при обратном смещении.
  1. С.И. Драпак, В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.А. Манассон. Физическая электроника, 41, 92 (1990)
  2. С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк. Письма ЖТФ, 27 (18), 1 (2001)
  3. V.A. Manasson, Z.D. Kovalyuk, S.I. Drapak, V.N. Katerinchuk. Electron. Lett., 26 (10), 664 (1990)
  4. V.P. Savchun, V.B. Kutsai. Thin Sol. Films, 361-- 362, 361 (2000)
  5. R.H. Williams, A.J. McAvej. J. Vac. Sci. Technol., 2, 867 (1972)
  6. F. Mayer, E.E. de Kluizerenaar, D. den Engelsen. IOSA, 63, 529 (1979)
  7. Л.Б. Ананьина, В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 10, 2373 (1976)
  8. S.I. Drapak, V.N. Katerinchuk, Z.D. Kovalyuk, V.A. Manasson. Phys. St. Sol. (a), 115, K35 (1989)
  9. R.R. Daniels, G. Margaritondo, C. Quaresima, P. Perfetti, F. Levy. J. Vac. Sci. Technol. 3, 979 (1985)
  10. В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖТФ, 25 (2), 29 (1999)
  11. В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11, 2000 (1977)
  12. E.H. Rhoderick. Metal--Semiconductor Contacts (Claredon Press, Oxford, 1978)
  13. Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1472 (1984)
  14. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции (М., Радио и связь, 1978)
  15. П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
  16. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.-Chichester-Brisbane-Toronto-Singapore, Willey-Interscience Publication, 1981) v. 1]
  17. В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы (М., Высш. шк., 1987)
  18. C. Tatsuyama, S. Ichimura, H. Iwakuro. Jap. J. Appl. Phys., 21, L25 (1982)
  19. М.В. Курик, З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук. ФТП, 17, 1883 (1983)
  20. В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Е.А. Тишин, В.Ф. Чишко. Физическая электроника, 19, 123 (1979)
  21. С.И. Драпак, В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, В.А. Манассон. Фотоэлектрические свойства гетероструктуры In2O2--Ga2O3--GaSe с туннельно-тонким слоем диэлектрика (Киев, ИПМ, 1989)
  22. T. Hariu, S. Sasaki, H. Adachi, H. Shibata. Jap. J. Appl. Phys., 16, 841 (1977)
  23. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relatioships in Science and Technology, New Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics, 17, ed. by O. Madelung (Berlin, Springer, 1983)
  24. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник под ред. А.В. Новоселова, В.Б. Лазарева, З.С. Медведевой, Н.П. Лужной, А.А. Левина (М., Наука, 1979)
  25. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1965)
  26. Р. Смит. Полупроводники (М., ИЛ, 1962)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.