На основе данных оптических и электрических измерений исследовано влияние примеси кремния на зонный спектр полупроводникового соединения Hg₃In₂Te₆, имеющего в своей структуре большую концентрацию стехиометрических вакансий. Показано, что кремний образует примесную зону донорных центров, плотность которых аппроксимируется гауссовым распределением с максимумом при E_c-0.29 эВ. Возникновение примесной зоны сопровождается образованием в запрещенной зоне (E_g=0.74 эВ) квазинепрерывного спектра локализованных состояний, плотность которых растет с уровнем легирования. Слияние всех состояний в сплошную полосу происходит при концентрации примеси N_Si>4.5· 10¹⁷ см^-3. Экспериментальные результаты объясняются эффектом самокомпенсации примеси, при котором донорные примесные состояния возникают одновременно с акцепторными состояниями дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.