"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Примесная зона в кристаллах Hg3In2Te6, легированных кремнием
Горлей П.Н.1, Грушка О.Г.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 23 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

На основе данных оптических и электрических измерений исследовано влияние примеси кремния на зонный спектр полупроводникового соединения Hg3In2Te6, имеющего в своей структуре большую концентрацию стехиометрических вакансий. Показано, что кремний образует примесную зону донорных центров, плотность которых аппроксимируется гауссовым распределением с максимумом при Ec-0.29 эВ. Возникновение примесной зоны сопровождается образованием в запрещенной зоне (Eg=0.74 эВ) квазинепрерывного спектра локализованных состояний, плотность которых растет с уровнем легирования. Слияние всех состояний в сплошную полосу происходит при концентрации примеси NSi>4.5· 1017 см-3. Экспериментальные результаты объясняются эффектом самокомпенсации примеси, при котором донорные примесные состояния возникают одновременно с акцепторными состояниями дефектов.
  1. О.Г. Грушка, З.М. Грушка, В.М. Фрасуняк, В.С. Герасименко. ФТП, 33, 1416 (1999)
  2. О.Г. Грушка, П.М. Горлей, А.В. Бесценный, З.М. Грушка. ФТП, 34, 1197 (2000)
  3. G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Adv. Mater., 4 (1), 36 (1997)
  4. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями, под ред. В.И. Фистуля (М., Металлургия, 1987)
  5. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  6. В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
  7. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
  8. H.J. Hoffmann. Appl. Phys., 19, 307 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.