"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоиндуцированный отжиг метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si : H
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1, Громадин А.Л.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Гиредмет, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Исследовано влияние подсветки на изотермическую релаксацию медленных фотоиндуцированных метастабильных дефектов (метастабильных электрически активных атомов примеси) в пленках a-Si : H, легированных бором. Было установлено, что при наличии подсветки кинетику релаксации этих метастабильных дефектов определяют не только процессы термического отжига и фотоиндуцированного образования, но и процесс фотоиндуцированного отжига.
  1. D. Redfield. Appl. Phys. Lett., 52, 492 (1988)
  2. R. Meaudre, M. Meaudre. Phys. Rev. B, 45, 12 134 (1992)
  3. H. Gleskova, P.A. Morin, S. Wagner. Appl., Phys. Lett., 62, 2063 (1993)
  4. H. Gleskova, S.N. Bullock, S. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 183 (1993)
  5. X.M. Dong, H. Fritzsche. Phys. Rev. B, 36, 9778 (1987)
  6. И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт, Д.В. Сенашенко. ФТП, 31, 1455 (1997)
  7. J.K. Rath, W. Fuhs, H. Mell. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 279 (1991)
  8. S. Sheng, X. Liao, G. Kong. Appl. Phys. Lett., 78, 2509 (2001)
  9. A.G. Kazanskii, I.A. Kurova, N.N. Ormont, I.P. Zvyagin. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 306 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.