Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта Министерства науки и высшего образования РФ в рамках базовой части государственного задания, №075-03-2020-191/5
Чигинева А.Б.1, Байдусь Н.В.1, Некоркин C.М.1, Жидяев К.С.1, Котомина В.Е.1, Самарцев И.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: chigineva@nifti.unn.ru, bnv@nifti.unn.ru, nekorkin@nifti.unn.ru, zhidyaev@nifti.unn.ru, kotominav@List.ru, samartsev@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 25 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 14 сентября 2021 г.
Принята к печати: 14 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.

Исследовано влияние на блокирующую способность GaAs тиристорных мезаструктур сульфидной пассивации (химической обработки в перекисно-серном травителе и в растворе Na2S в изопропаноле) и усложнения профиля боковой поверхности мез. Показано, что блокирующее напряжение чипов возрастает в несколько раз как после химической обработки поверхности, так и при усложнении топологии поверхности. Ключевые слова: тиристоры, блокирующее напряжение, сульфидная пассивация, арсенид галлия, мезаструктура.
  1. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.S. Golovin, P.S. Gavrina, V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, V.V. Zolotarev, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. IEEE Trans. on Electron Dev., 67 (1), 193 (2020)
  2. В.И. Корольков, Н. Рахимов. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур (Ташкент, Фан, 1986)
  3. R.J. Lis, J.H. Zhao, L.D. Zhu, J. Illan, S. McAfee, T. Burke, M. Weiner, W.R. Buchwald, K.A. Jones. IEEE Trans. Electron Dev., 84 (5), 809 (1994)
  4. А.Б. Чигинева, C.М. Некоркин, Н.В. Байдусь, И.В. Самарцев, К.С. Жидяев,  Е.В. Демидов, А.В. Крюков, В.А. Токарев, Д.И. Баклашов. Матер. XXIII Международ. симп. "Нанофизика и наноэлектроника". (Н. Новгород, Россия, 2019) т. 2, с. 874
  5. А.Б. Чигинева, C.М. Некоркин, Н.В. Байдусь, К.С. Жидяев, А.В. Крюков, В.А. Токарев, Д.И. Баклашов. Матер. XXIV Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника". (Н. Новгород, Россия, 2020) т. 2, с. 794
  6. ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения. --- Взамен ГОСТ 20332-74; введ. 01.07.1985. --- docs.cntd.ru/document/1200015690
  7. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl.Phys., 121, 054502 (2017)
  8. А.А. Подоскин, П.С. Гаврина, В.С. Головин, С.О. Слипченко, Д.Н. Pоманович, В.А. Капитонов, И.В. Мирошников, Н.А. Пихтин, Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков. ФТП, 55 (5), 466 (2021)
  9. М. Бонтарюк, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова. ФТП, 33 (6), 716 (1999)
  10. М.В. Лебедев. ФТП, 54 (7), 587 (2020)
  11. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32 (11), 1281 (1998)
  12. N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubavkina, F.I. Zubov, M.V. Maximov, A.A. Lipovskii, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, V.M. Korpijarvi, T. Niemi, R. Isoaho, M. Guina, M.V. Lebedev, T.V. Lvova, A.E. Zhukov. J. Appl.Phys., 120, 233103 (2016)
  13. М.В. Лебедев, В.В. Шерстнев, Е.В. Куницына, И.А. Андреев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 45 (4), 535 (2011)
  14. Min-Su Park, M. Razaei, K. Barnhart, Ch.L. Tan, H. Mohseni. J. Appl. Phys., 121, 233105 (2017)
  15. R.K. Oxland, F. Rahman. Semicond. Sci. Technol., 23, 085020 (2008)
  16. А.С. Кюрегян. ФТП, 45 (3), 372 (2011)
  17. С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма в ЖТФ, 14 (16), 1526 (1988)
  18. А. Блихер. Физика тиристоров (Л., Энергоиздат, 1981). [Пер. с англ.: A. Blicher. Thyristor physics (N.Y-Heidelberg-Berlin, Springer Verlag, 1976)]
  19. П. Тейлор. Расчет и проектирование тиристоров (М., Энергоатомиздат, 1990). [Пер. с англ.: P. Taylor. Thyristor design and realization (Chichester, John Wiley \& Sons Ltd., 1987)]
  20. M. Oshima, T. Scimeca, Y. Watanabe, H. Oigawa, Y. Nannichi. Jpn. J. Appl. Phys., 32 (1S), 518 (1993)
  21. Н.М. Лебедева, Н.Д. Ильинская, П.А. Иванов. ФТП, 54 (2), 207 (2020)
  22. G. Kohl. Solid State Electron., 11 (4), 501 (1968)
  23. В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35 (7), 769 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.