"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние никеля на время жизни носителей заряда в кремниевых солнечных элементах
Ministry of innovative development of the Republic of Uzbekistan, “The Formation of II–VI and III–V Compound Elementary Cells in Silicon Lattice Is a New Approach to Developing Promising Materials for Photovol- taic Energetics and Photonics.”, OT-F2-50
Бахадырханов М.К. 1,2, Кенжаев З.Т. 1,2, Ковешников С.В.1,2, Аюпов К.С.1,2, Косбергенов Е.Ж.1,2
1Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
2Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: bahazeb@yandex.com, zoir1991@bk.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 20 июня 2021 г.
Принята к печати: 18 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.

Экспериментально показано, что кластеры никеля на поверхности кремниевого образца содержат большое количество кислорода и рекомбинационных примесей - Сu, Fe, Cr, что указывает на эффективное геттерирование примесей кластерами. Определена оптимальная температура диффузии никеля в кремний: 800-850oC. Легирование примесными атомами никеля с образованием кластеров позволяет увеличить время жизни неравновесных носителей заряда в базе солнечного элемента до 2 раз, при этом формирование обогащенной никелем области в лицевом слое оказалось более эффективным. Показано, что эффект влияния дополнительного легирования никелем слабо зависит от последовательности проведения процессов диффузии никеля и создания рабочего p-n-перехода. Ключевые слова: кремниевые солнечные элементы, диффузия никеля, неравновесные носители заряда, геттерирование, p-n-переход.
  1. И.Б. Чистохин, К.Б. Фрицлер. Письма ЖТФ, 46 (21), 11 (2020)
  2. P. Papakonstantinou, K. Somasundram, X. Cao, W.A. Nevin. J. Electrochem. Soc., 148 (2), 36 (2001)
  3. Б.И. Фукс. ФТП, 48 (12), 1704 (2014)
  4. И.Е. Панайотти, Е.И. Теруков, И.С. Шахрай. Письма ЖТФ, 46 (17), 3 (2020)
  5. В.А. Харченко. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 21 (1), 5 (2018)
  6. З.Ю. Готра. Справочник по технологии микроэлектронных устройств (М., Камерян, 1986)
  7. Ю.А. Якимов, Е.А. Климанов. Прикл. физика, N 3, 15 (2015)
  8. Ю.И. Бохан, В.С. Каменков, Н.К. Толочко. ФТП, 49 (2), 278 (2015)
  9. В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Письма ЖТФ, 25 (8), 50 (1999)
  10. J. Lindroos, D. P. Fenning, D. J. Backlund, E. Verlage, A. Gorgulla, S.K. Estreicher, H. Savin, T. Buonassisi. J. Appl. Phys., 113, 204906 (2013)
  11. F.H.M. Spit, D. Gupta, K.N. Tu. Phys. Rev. B, 39 (2), 1255 (1989)
  12. Ю.Я. Гафнер, С.Л. Гафнер, П. Энтель. ФТТ, 46 (7), 1287 (2004)
  13. B.A. Abdurakhmanov, M.K. Bakhadirkhanov, K.S. Ayupov, H.M. Iliyev, E.B. Saitov, A. Mavlyanov, H.U. Kamalov. J. Nanosci. Nanotechnol., 4 (2), 23 (2014)
  14. M.K. Bakhadyrkhanov, B.K. Ismaylov, S.A. Tachilin, K.A. Ismailov, N.F. Zikrillaev. SPQEO, 23 (4), 361 (2020)
  15. M.K. Bakhadyrkhanov, K.A. Ismailov, B.K. Ismaylov, Z.M. Saparniyazova. SPQEO, 21 (4), 300 (2018)
  16. А.С. Астащенков, Д.И. Бринкевич, В.В. Петров. Докл. БГУИР, 8 (38), 37 (2018)
  17. М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников. Письма ЖТФ, 45 (19), 3 (2019)
  18. M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, Z.T. Kenzhaev, D. Melebaev, Kh.F. Zikrillayev, G.A. Ikhtiyarova. Appl. Solar Energy, 56 (1), 13 (2020)
  19. В.В. Тогатов, П.А. Гнатюк. ФТП, 39 (3), 378 (2005)
  20. K. Bothe, R. Sinton, J. Schmidt. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 13, 287 (2005)
  21. B. Aissa, М.М. Kivambe, M.I. Hossain, O.El. Daif, A.A. Abdallah, F. Ali, N. Tabet. Front Nanosci. Nanotechnol., 1 (1), 2 (2012)
  22. Ch. Sun, F.E. Rougieux, D. Macdonald. J. Appl. Phys., 115, 214907 (2014)
  23. H.P. Bonzel. Phys. Status Solidi, 90, 493 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.